【MCU】STM32F401VCT6 ADXL377BCPZ DLA60I1200HA 一款1200V/60A 通用整流器

mjd888

STM32F401VCT6 基于Cortex™-M4 的STM32F4系列微控制器
基本参数
核心处理器：ARM® Cortex®-M4
内核规格：32 位单核
速度：84MHz
连接能力：I²C，IrDA，LINbus，SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG
外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT
I/O 数：81
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：-
RAM 大小：64K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 16x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：100-LQFP
基本产品编号：STM32F401
STM32F401VCT6 32 位 Cortex™-M4 微控制器(MCU)内含浮点运算单元和核心特性，如内置单周期乘积累加（MAC）指令、优化的 SIMD 算法、饱和算法指令。自适应实时 ART 加速器™ 结合 意法半导体 90 nm 技术，可提供高达 168MHz 的线性性能，全面释放核心性能。这些特性扩大了工业、消费和医疗行业可寻址应用范围。STM32 F4 系列 MCU 具有 512KB 到 1MB 的片内闪存、192KB 的 SRAM、15 个通信接口。
STM32F401VCT6微控制器适用于需要均衡性能、功耗和集成度的应用场景，如医疗设备、工业控制和消费电子产品等。其低功耗和高集成度的特性使其在便携式设备和电池供电系统中具有显著优势‌。

ADXL377BCPZ 三轴高G模拟MEMS加速度计
ADXL377BCPZ是一款模拟、三轴、高 g MEMS加速度计，提供经过信号调理的电压输出，满量程加速度测量范围为±200 g（最小值）。该器件设计用于测量高冲击事件导致的动态加速度，且不会出现传感器饱和。ADXL377BCPZ的模拟输出提供对冲击事件的全面可见性，因此不会丢失任何潜在的关键数据。
ADXL377BCPZ提供小尺寸、薄型、3 mm × 3 mm × 1.45 mm、16引脚引脚架构芯片级封装(LFCSP_LQ)。
该器件具有以下主要特性：
三轴检测
小尺寸、薄型封装
3 mm × 3 mm × 1.45 mm LFCSP
低功耗：300 μA（典型值）
单电源供电：1.8 V至3.6 V
抗冲击能力：10,000 g
出色的温度稳定性/li>
通过各轴的一个电容调整相应的带宽
符合RoHS/WEEE和无铅要求
应用领域
脑震荡和头部创伤检测
强力事件检测


DLA60I1200HA 低压标准整流器
DLA60I1200HA 是一款 1200V/60A 通用整流器，采用 TO-247-2（TO-247AD） 封装，适用于高功率整流、工业电源、电机驱动等应用。该器件具有低正向压降、高反向耐压、标准恢复速等特点，广泛应用于 AC/DC 转换、逆变器、UPS 电源等领域。
基本参数和特性
‌电压等级‌：DLA60I1200HA的最大反向电压为1200V，适用于高电压环境。
‌电流能力‌：其平均整流电流为60A，适合需要大电流处理的电路。
‌恢复时间‌：正向电压为1.19V @ 60A，反向恢复时间较快，适合高频应用。
‌封装形式‌：采用TO-247AD封装，适合通孔安装。
‌工作温度范围‌：-55°C至175°C，适用于广泛的温度环境。
应用场景
DLA60I1200HA适用于各种需要高电压和大电流处理的电路，如电源供应器、电机驱动、逆变器等。其快速恢复特性使其在高频应用中表现优异。
明佳达电子【供应】全新【MCU】STM32F401VCT6 ADXL377BCPZ加速度计 DLA60I1200HA 一款1200V/60A 通用整流器