高压、大电流驱动电路

mystrip

大家好！

经常看到象下图中这种结构的驱动电路用来驱动片外的比如同轴传输线等。M1是一高压LDNMOS管子，它的栅极可以用一低电压（比如5伏）来驱动。D1是一二极管，VDD是一高电压，比如12伏。那图中这个二极管D1的作用是用来防止反向电流或反接吗？它还有其他作用吗？因为在M1导通时，D1的压降只有差不多0.6-0.7伏，而当M1关闭时D1没电流，加在它两极的电压降是0，（如果不考虑反接的情况）所以要选择D1的最高电压耐压的话，是不是D1可以选择一个可耐低压（比如5伏）的就够了？

                               
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谢谢！

zhb9103

这个电路涉及面很广哈， 首先D1的耐压问题， 正向耐压必须大于12V比较保险， 否则会被击穿， 因为在M1导通后， 相当接地， 12V直接会作用在R1+D1上， R1会分压， 取决R1的阻值； 反向耐压必须更大。另外看这个控制频率， 和这个控制电流（R1的值相关）， 浪涌大， D1的电流会大， 选择D1的电流值需要考虑， 浪涌大， 考虑存在方向电压。 在关断的瞬间， 由于寄生电容电感的原因， M1会产生方向电压。D1的作用可以消除这个电压， 保护片外设备IO.

mystrip

zhb9103 发表于 2025-5-22 07:06
这个电路涉及面很广哈， 首先D1的耐压问题， 正向耐压必须大于12V比较保险， 否则会被击穿， 因为在M1导通 ...

谢谢！你说得对，当M1关断的瞬间，由于M1沟道、Cgd的寄生电荷以及M1漏极端的寄生电容、电感，会引起一个大的电压毛刺，D1需要能承受这个毛刺引起的过压。你说的“首先D1的耐压问题， 正向耐压必须大于12V比较保险， 否则会被击穿”，是因为如果一个瞬间高电压加在D1上，即使是正向电压，由于这个高电压引起的大电产生雪崩，这个二极管如果不耐高压也可能会被烧掉？

zhb9103

不单是这个问题， 还有负载问题也要考虑， 例如负载如果是大功率感性（马达）或容性负载， 都会引起反向电压， 这个电压可能会远高于12V。