关于使用CMOS工艺设计NE555

惊鸿十二笔 · 发表于前天 00:09

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我使用的是tsmc18bcd库来设计NE555这颗芯片，但是我在PDK看到的是vgs小于等于5V，但是NE555芯片可以在3-15V电源电压下工作，而且还可以输入2/3倍的电源电压，就是说我的输入有可能到达10V，大于vgs的耐压值5V，请教下大家这部分是怎么处理的

zeozwq · 发表于昨天 15:29

直接用会有什么问题吗

zeozwq · 发表于昨天 15:33

高压库的话没有可以耐压到15V的mos管吗

惊鸿十二笔 · 发表于昨天 20:15

zeozwq 发表于 2025-5-9 15:33
高压库的话没有可以耐压到15V的mos管吗

你好，这是手册中的描述的偏置工作状态Vgs都差不多是0-5.5V，而且我还要设计比较器，功率mos管的宽长比有要求不能做到像我算的那样，这部分就是我的疑惑

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