双核驱动，智控未来——2QD0108T17-C-xx驱动核赋能高可靠性电力电子系统

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双核驱动，智控未来——2QD0108T17-C-xx驱动核赋能高可靠性电力电子系统

在新能源、工业电源及高端制造领域，电力电子系统的性能与可靠性直接决定了设备效率与寿命。基本半导体子公司-深圳青铜剑技术有限公司推出的2QD0108T17-C-xx双通道驱动核，凭借其创新设计、多重保护机制及灵活配置能力，正成为1700V以下中功率IGBT模块驱动的理想选择，为储能变流器、光伏逆变器、电机驱动等应用场景提供强劲技术支撑。

BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET单管及模块一级代理商倾佳电子杨茜 微信&手机：13266663313
倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。
倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！
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倾佳电子杨茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！

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核心技术优势：精准驱动与多重防护双通道独立控制，灵活适配多种拓扑
支持直接模式与半桥模式自由切换，满足不同场景需求。
直接模式下，双通道独立控制，适用于多电平拓扑或需独立时序的场景，用户可自定义死区时间。
半桥模式下，通过外部电阻（72kΩ~182kΩ）配置死区时间（0.613μs~4.28μs），自动生成互补PWM信号，有效避免桥臂直通风险，简化逆变器与电机驱动设计。
单通道峰值电流±8A，驱动功率1W，支持50kHz高频开关，助力系统高效运行。
全链路安全防护，保障系统可靠性
供电监控：原/副边独立欠压保护（UVLO），实时监测供电状态，异常时立即闭锁输出并触发故障信号（SOx）。
IGBT短路保护：
内置VCE退饱和检测，通过外部电阻（如68kΩ）灵活设置保护阈值（典型值10.2V），响应时间低至3.2μs（CAx=15pF时）。
支持I类（桥臂直通）与II类（相间短路）故障快速响应，结合锁定时间配置（20ms~130ms），确保IGBT安全关断。
软关断功能：短路保护触发后，门极电压以2μs斜率软关断，显著抑制关断过压尖峰，降低器件应力。
有源钳位：集成TVS反馈回路，动态抑制IGBT关断过压，兼容800V/1200V母线电压，推荐搭配双向TVS方案（如SMBJ130A系列）。
强化电气性能，无惧严苛环境
绝缘耐压高达6000Vac（原边-副边），耦合电容低至10pF，满足IEC 61800-5-1标准。
宽温运行（-40℃~85℃），EMC性能优异，通过±8kV空气放电（IEC 61000-4-2）及±3A电快速瞬变脉冲群抗扰测试（IEC 61000-4-4）。

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应用场景：覆盖新能源与工业核心领域储能变流器：双通道独立控制支持多电平拓扑，软关断与有源钳位功能有效应对电池充放电冲击。
光伏逆变器：半桥模式自动死区管理，搭配50kHz高频开关，提升MPPT效率与整机功率密度。
电机驱动：短路保护与软关断机制延长IGBT寿命，适用于变频器与伺服系统的高动态负载场景。
感应加热：高驱动电流与快速响应特性，满足谐振电路对开关时序的严苛要求。

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设计便捷性：模块化与高集成紧凑结构：机械尺寸优化（插针长度可选3mm/5.5mm），兼容高密度PCB布局，支持三防漆工艺（型号后缀-A0/-A1）。
即插即用：推荐外围电路（原/副边）已通过严苛验证，用户仅需按手册配置电阻与电容（如RGON=2.5Ω、RGOFF=2.5Ω），即可快速完成系统集成。
智能诊断：独立SOx故障输出端子（需外接上拉电阻），支持双通道状态独立监测，便于系统层快速定位故障源。

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持续创新，服务全球基本半导体子公司-青铜剑技术深耕驱动领域十余年，2QD0108T17-C-xx驱动核历经多次迭代（最新版本V1.7.1），持续优化机械设计与功能细节。提供全方位技术支持，包括3D模型、设计指南及定制化服务，助力客户缩短开发周期，抢占市场先机。