碳化硅（SiC）MOSFET桥式电路应用中米勒钳位功能的重要性

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在碳化硅（SiC）MOSFET桥式电路应用中，米勒钳位功能至关重要，主要体现在以下几个方面：

在SiC MOSFET桥式电路（如充电桩LLC拓扑、光伏逆变器等）中，米勒钳位功能是确保高可靠性和高效率的核心设计要素。通过主动抑制米勒效应，可显著降低误开通风险，为高频、高压应用提供关键保障。









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1. 抑制米勒效应引起的误开通米勒效应原理：当桥式电路的上管快速开通时，桥臂中点电压的快速变化（高dv/dt）会通过下管的栅漏寄生电容（Cgd​）产生米勒电流（Igd​=Cgd​⋅dtdv​）。该电流流经下管的栅极电阻（Rgoff​），导致下管栅极电压被抬高，可能超过阈值电压（VGS(th)​），引发误开通（直通现象）。
SiC MOSFET的脆弱性：
SiC MOSFET的阈值电压较低（1.8~2.7V），且随温度升高进一步下降，更容易因米勒电流误开通。
SiC器件的开关速度极快（dv/dt可达50kV/μs以上），进一步加剧米勒效应风险。
2. 米勒钳位功能的作用主动钳位门极电压：米勒钳位通过低阻抗路径（如驱动芯片内部的MOSFET）将门极电荷快速泄放至负电源轨，抑制栅极电压的抬升（例如将VGS​从7.3V降至2V）。
增强系统可靠性：避免上下管直通短路，降低热失控和器件损坏风险。

3. 与传统IGBT的对比IGBT：驱动负压容忍度更高（-8~-15V），阈值电压较高（约5.5V），通常无需米勒钳位。
SiC MOSFET：驱动负压受限（-4V~-8V），阈值电压低且对温度敏感，必须依赖米勒钳位抑制误开通。
4. 实测验证在双脉冲测试中，开启米勒钳位功能后，下管栅极电压波动显著降低（从7.3V降至2V），有效避免误开通（详见第55-56页测试数据）。
5. 系统优化意义提升效率：减少开关损耗和直通损耗，优化整机效率。
支持高频应用：通过抑制米勒效应，充分发挥SiC MOSFET的高频优势。
碳化硅（SiC）MOSFET桥式电路应用中米勒钳位功能的重要性BASiC基本股份针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。
BASiC基本股份低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521P,BTP1521F，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。
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在SiC MOSFET桥式电路（如充电桩LLC拓扑、光伏逆变器等）中，米勒钳位功能是确保高可靠性和高效率的核心设计要素。通过主动抑制米勒效应，可显著降低误开通风险，为高频、高压应用提供关键保障。