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[求助]关于数字ic后端的问题

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发表于 2025-3-11 15:26:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
100资产
大佬们,初学数字ic后端有几个问题请教一下:
①项目需要用到ram,是不是应该通过MemoryCompiler生成lib,然后lc生成相应的db,用于DC和ICC,这样的话DC和ICC还需要自己写的相应的RAM的v文件吗
②是不是需要生成ram的lef文件用于后续milkyway创建物理库的步骤,还是说标准单元库自带的MW就可以作为ICC中creat_mw_lib的参考库了

发表于 2025-3-11 17:37:41 | 显示全部楼层
Memory Compiler可以生成用于仿真的 .v文件,DC和ICC读取lc生成的db就可以。
RAM的Milkyway库需要自己根据lef文件创建,标准单元库自带的MW只有标准单元,creat_mw_lib需要同时参考标准单元MW和RAM的MW
发表于 2025-3-12 04:21:53 | 显示全部楼层
interesting
发表于 2025-3-12 08:53:07 | 显示全部楼层
大厂的Memory Compiler一般可以直接生成你需要的几乎所有的前后端文件。
 楼主| 发表于 2025-3-13 09:57:34 | 显示全部楼层


hanhc1989 发表于 2025-3-11 17:37
Memory Compiler可以生成用于仿真的 .v文件,DC和ICC读取lc生成的db就可以。
RAM的Milkyway库需要自己根据l ...


感谢解答
 楼主| 发表于 2025-3-13 10:01:13 | 显示全部楼层


hanhc1989 发表于 2025-3-11 17:37
Memory Compiler可以生成用于仿真的 .v文件,DC和ICC读取lc生成的db就可以。
RAM的Milkyway库需要自己根据l ...


那DC读取的.v文件中可以缺少ram模块吗(读取ram相关.db的情况下)
发表于 2025-3-18 09:23:32 | 显示全部楼层


hjty 发表于 2025-3-13 10:01
那DC读取的.v文件中可以缺少ram模块吗(读取ram相关.db的情况下)


可以的,DC不要读取用于仿真的.v文件,直接读取RAM的.db
 楼主| 发表于 2025-3-18 10:44:47 | 显示全部楼层


hanhc1989 发表于 2025-3-18 09:23
可以的,DC不要读取用于仿真的.v文件,直接读取RAM的.db


ok感谢解答,我还有个问题,就是我原来的rtl中用到的是ram_24x132b,但Memory Compiler中无法生成对应尺寸的ram,请问有没有什么推荐的解决方案

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