TSMC180BCD版图DRC错误HVLUP.R.10

vanquish_016 · 发表于 2024-11-14 11:24:25

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使用TSMC180BCD工艺，制作高压PAD时遇到这个报错该如何解决，诚心求教！！！

HVLUP.R.10_11 { @ HVNMOS/HVESD BJT connected to I/O pads except high/low side I/O HVNMOS/HVESD BJT is not defined in DRM
@ please consult TSMC for usage
HV_POST_DRIVER_NACT NOT POST_DRIVER_ACT_HVN_LS_HS
}

使用的HVESD BJT是库中的pdio_esd_ga_nbl_24_v2_3t;这个错误一直都消不掉，真诚求助！！！

2580026576 · 发表于 2024-11-14 14:41:06

字面意思就是高压mos二极管直接接到pad上面设计手册里没有这种接法。
如果是二极管必须要接到pad上当esd，需要在esd上包专门检查esd的layer，设计手册里esd的部分有

vanquish_016 · 发表于 2024-11-14 16:15:02

2580026576 发表于 2024-11-14 14:41
字面意思就是高压mos二极管直接接到pad上面设计手册里没有这种接法。
如果是二极管必须要接到pad上当esd， ...

已解决，非常感谢！！！

Tony展 · 发表于 2025-1-10 14:50:14

2580026576 发表于 2024-11-14 14:41
字面意思就是高压mos二极管直接接到pad上面设计手册里没有这种接法。
如果是二极管必须要接到pad上当esd， ...

麻烦问一下，加的是哪一层呀，感谢

[求助] TSMC180BCD版图DRC错误HVLUP.R.10

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