TSMC180BCD版图DRC错误HVLUP.R.10

vanquish_016

使用TSMC180BCD工艺，制作高压PAD时遇到这个报错该如何解决，诚心求教！！！


HVLUP.R.10_11 { @ HVNMOS/HVESD BJT connected to I/O pads except high/low side I/O HVNMOS/HVESD BJT is not defined in DRM
                         @ please consult TSMC for usage
        HV_POST_DRIVER_NACT NOT POST_DRIVER_ACT_HVN_LS_HS
}

使用的HVESD BJT是库中的pdio_esd_ga_nbl_24_v2_3t;这个错误一直都消不掉，真诚求助！！！

2580026576

字面意思就是高压mos二极管直接接到pad上面设计手册里没有这种接法。
如果是二极管必须要接到pad上当esd，需要在esd上包专门检查esd的layer，设计手册里esd的部分有

vanquish_016

2580026576 发表于 2024-11-14 14:41
字面意思就是高压mos二极管直接接到pad上面设计手册里没有这种接法。
如果是二极管必须要接到pad上当esd， ...

已解决，非常感谢！！！

Tony展

2580026576 发表于 2024-11-14 14:41
字面意思就是高压mos二极管直接接到pad上面设计手册里没有这种接法。
如果是二极管必须要接到pad上当esd， ...

麻烦问一下，加的是哪一层呀，感谢

ZTong

vanquish_016 发表于 2024-11-14 16:15
已解决，非常感谢！！！

请问是如何解决的呀，我也遇到了这个问题，在drc手册上没找到该加什么层。谢谢！

vanquish_016

Tony展 发表于 2025-1-10 14:50
麻烦问一下，加的是哪一层呀，感谢

分别是LUPWDMY的dummy1和dummy2层，可以自行检验一下

vanquish_016

ZTong 发表于 2025-6-9 14:21
请问是如何解决的呀，我也遇到了这个问题，在drc手册上没找到该加什么层。谢谢！
...

分别是LUPWDMY的dummy1和dummy2层，可以自行检验一下