关于电荷注入的一些疑问

YooJio

为什么dummy管的尺寸要为M1的一半，导通时间晚一点可以理解。

yangnanfrank

你看到的不是完整的分析。其实dummy是做在两边各一个的，尺寸是一半，认为电荷会平均跑到两边，被旁边两个dummy MOS捕获注入的电荷。但是Vin那边，一般是个强源，认为注入的电荷几乎没多大影响，所以就删除了。最终结果就是你看到的这个设计。

YooJio

yangnanfrank 发表于 2024-10-24 10:03
你看到的不是完整的分析。其实dummy是做在两边各一个的，尺寸是一半，认为电荷会平均跑到两边，被旁边两个d ...

互补开关两边各一个 尺寸是对面互补Mos管的一半 这个我知道 就是不知道为啥尺寸是一半

yangnanfrank

YooJio 发表于 2024-10-24 10:08
互补开关两边各一个 尺寸是对面互补Mos管的一半 这个我知道 就是不知道为啥尺寸是一半
...

这个就是认为你开关在快速关断后，主开关的沟道电荷会流向两边，一边一半，这样会被两边的dummy MOS恰好吸收到沟道，就不会影响通路上的电压了

YooJio

yangnanfrank 发表于 2024-10-24 10:03
你看到的不是完整的分析。其实dummy是做在两边各一个的，尺寸是一半，认为电荷会平均跑到两边，被旁边两个d ...

意思是互补开关产生的沟道电荷和单个开关产生的差不多 所以当电荷平均分配到MOS管的两边 只需要两个一半尺寸的电容就可以吸收掉

YooJio

yangnanfrank 发表于 2024-10-24 10:13
这个就是认为你开关在快速关断后，主开关的沟道电荷会流向两边，一边一半，这样会被两边的dummy MOS恰好 ...

谢谢

onlyzjj

楼主，问个问题，怎么理解“M2自身电荷对Vo节点的影响”

YooJio

onlyzjj 发表于 2024-10-24 14:04
楼主，问个问题，怎么理解“M2自身电荷对Vo节点的影响”

我的理解是M2其实就是电容，如果M2关断时间晚于M1打开时间，会有一部分电荷存进去。