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查看: 549|回复: 8

[求助] 新唐LDMOS

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发表于 2024-10-9 11:20:24 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 想象 于 2024-10-9 11:21 编辑

求助各位大佬,如下图1&2&3,这种结构的N型高压LDMOS,源端和b端是必须锁死接一起的吗?(pcell上面显示通过一大块cont接到同一根金属1)
1.如果可以不接一起,怎么理解一整块矩形的cont接到同一根金属?这个矩形的cont孔制造的时候就是这个形状还是通过它进行运算呢;
2.如果必须接一起,这样的mos结构有什么优点和作用;
3.此工艺为新唐,它们对于cont和via的处理也和常见工艺有所不同(如下图4&5),针对这两条drc error如果没有脚本的话手动添加起来也是很大的工作量…

图1

图1

图1

  

图2

图2

图2

  

图3

图3

图3

图4

图4

图4

图5

图5

图5



发表于 2024-10-9 12:46:20 | 显示全部楼层
如果可以直接和fab邮件沟通,这个ct的运算你自己看下他们关于mask的文档
 楼主| 发表于 2024-10-9 13:12:13 | 显示全部楼层


wx148520 发表于 2024-10-9 12:46
如果可以直接和fab邮件沟通,这个ct的运算你自己看下他们关于mask的文档



这个运算方式看不太懂
6.png
发表于 2024-10-9 13:30:02 | 显示全部楼层


想象 发表于 2024-10-9 13:12
这个运算方式看不太懂


这个可以看成calibre语法的逻辑运算

 楼主| 发表于 2024-10-9 13:48:34 | 显示全部楼层


wx148520 发表于 2024-10-9 13:30
这个可以看成calibre语法的逻辑运算


好的,感谢
发表于 2024-10-9 14:11:57 | 显示全部楼层
目测源漏的contact就是一长条,为了跨越多个body/source区的时候能对准,顺便减少边缘效应和增大电流密度。估计平台不是很给力,所以这么搞。
另外contact的每个边角都有opc修正的小方块,也算他家特色。这种拿到gds可以调整的事情,10年前就这样,现在还没改,有点说不过去了。
 楼主| 发表于 2024-10-9 14:38:19 | 显示全部楼层


neonato 发表于 2024-10-9 14:11
目测源漏的contact就是一长条,为了跨越多个body/source区的时候能对准,顺便减少边缘效应和增大电流密度。 ...


感谢大佬的解答,
这么说s端和b端确实是必须接死的吧。另外孔的四个角添加的层次是TO给他们添加还是我们自己添加呢,这个应该是有脚本的吧
发表于 2024-10-9 15:15:27 | 显示全部楼层


想象 发表于 2024-10-9 14:38
感谢大佬的解答,
这么说s端和b端确实是必须接死的吧。另外孔的四个角添加的层次是TO给他们添加还是我们 ...


大部分工艺的ldmos默认是接死的,实在有不接死的需求,可以跟fab讨论。不过这种源漏的注入结构,估计没法分开。
OPC应该有脚本,问fab要一下,十年没用过他家工艺了,不大记得

 楼主| 发表于 2024-10-9 15:41:33 | 显示全部楼层


neonato 发表于 2024-10-9 15:15
大部分工艺的ldmos默认是接死的,实在有不接死的需求,可以跟fab讨论。不过这种源漏的注入结构,估计没法 ...


了解,感谢
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