LDO结构选型

猪头寄生菌 · 发表于 2024-10-6 20:37:33

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萌新初学，对设计指标的量不是很有概念，请问大佬们如下设计指标有什么特别的吗？以及适合采用capless的还外挂电容的结构？

LDO指标如下：
1）、压差电压：2V
2）、最大负载电流：100mA
3）、静态电流:170uA
4）、电源抑制比:60dB
5）、负载调整率: 0.171mV/mA

liuxinyua · 发表于 2024-10-7 08:38:29

瞬态性能要求不严格的话，用capless也可以做

mmkyy · 发表于 2024-10-9 13:55:37

本帖最后由 mmkyy 于 2024-10-9 14:16 编辑

光看这个指标应该很容易实现。压差2V，可以考虑NMOS做功率管的capless结构；100mA电流容易实现；静态电流容易实现；把环路增益做到70dB，PSRR和负载调整率肯定没问题。
可以考虑用如下结构：
1，输入级用cascode
2，可以直接用cascode驱动NMOS，注意cascode的摆幅
3，补偿采用ahuja方式
总的功耗可以控制在50uA以内

ycjack · 发表于 2024-10-9 17:30:12

电源抑制比频率要求呢？

猪头寄生菌 · 发表于 2024-10-9 20:48:24

ycjack 发表于 2024-10-9 17:30
电源抑制比频率要求呢？

频率没啥严格要求，别太离谱就行了吧

猪头寄生菌 · 发表于 2024-10-9 20:50:24

mmkyy 发表于 2024-10-9 13:55
光看这个指标应该很容易实现。压差2V，可以考虑NMOS做功率管的capless结构；100mA电流容易实现；静态电流容 ...

感谢大佬，那么请问大佬一般这种nmos ldo有什么更好的优化结构吗？

yangyansong521 · 发表于 2024-10-12 10:50:15

mmkyy 发表于 2024-10-9 13:55
光看这个指标应该很容易实现。压差2V，可以考虑NMOS做功率管的capless结构；100mA电流容易实现；静态电流容 ...

大佬，看您再说casecode那种结构补偿，我现在在仿真过程中，我现在在仿真的过程中，使用2Πrc分之1，来求p2极点。求出来的比我用下表面仿真模型，出来的大。有点不太明白了。调整管的栅端电容我选取的时cgg值。我出错在那里了。大佬

mmkyy · 发表于 2024-10-12 11:39:11

yangyansong521 发表于 2024-10-12 10:50
大佬，看您再说casecode那种结构补偿，我现在在仿真过程中，我现在在仿真的过程中，使用2Πrc分之1，来求 ...

满载时主极点在P2节点，而不是P1。求P2极点，糙一点可以用密勒近似，精确求解可以参考论文《Issues in “Ahuja” Frequency Compensation Technique》，论坛里很多。

yangyansong521 · 发表于 2024-10-12 11:45:22

mmkyy 发表于 2024-10-12 11:39
满载时主极点在P2节点，而不是P1。求P2极点，糙一点可以用密勒近似，精确求解可以参考论文《Issues in “ ...

佬谢谢回复，我现在家的这种仿真模型有问题吗？来仿真ea输出这里的极点。我现在就是轻载求得的。

mmkyy · 发表于 2024-10-12 11:56:58

yangyansong521 发表于 2024-10-12 11:45
佬谢谢回复，我现在家的这种仿真模型有问题吗？来仿真ea输出这里的极点。我现在就是轻载求得的。 ...

可以这样仿真，用stb仿真更简单

[讨论] LDO结构选型

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