电容阵列RCC抽取后容值加倍，Q降低很多

xq19901211 · 发表于 2024-9-19 11:36:57

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请教各位大侠，电容阵列RCC抽取后容值加倍，Q降低很多

抽取前容值 4.5p,抽取后8.95p;Q从8.2降低到3.1,根本没法用了

matrix-reality · 发表于 2024-9-19 12:35:20

这是ADC阵列吗？

xq19901211 · 发表于 2024-9-19 14:15:38

matrix-reality 发表于 2024-9-19 12:35
这是ADC阵列吗？

VCO的电容阵列

zhengzih · 发表于 2024-9-19 16:28:21

论坛里有帖子的，是提后仿参数设置的问题，具体细节可以自行查阅

xq19901211 · 发表于 2024-9-19 16:41:24

本帖最后由 xq19901211 于 2024-9-19 16:59 编辑

zhengzih 发表于 2024-9-19 16:28
论坛里有帖子的，是提后仿参数设置的问题，具体细节可以自行查阅

我这个版图pcell打散了，如果不重新layout,有啥办法正确提出来寄生吗？

南岭小小生 · 发表于 2024-9-20 09:15:36

提取的时候选gate level就好了

xq19901211 · 发表于 2024-9-20 10:41:53

南岭小小生发表于 2024-9-20 09:15
提取的时候选gate level就好了

gate level选了，
打散了选gate level没用

[求助] 电容阵列RCC抽取后容值加倍，Q降低很多