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查看: 404|回复: 9

[求助] 2.5V 的MOS 管最大能承受多大电压?

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发表于 2024-9-18 15:49:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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管子是2.5V器件,如果VDS or VDB在某状态下达到3.3V,这个管子会烧毁吗? VGs不会有3.3V。

发表于 2024-9-18 15:50:51 | 显示全部楼层
不会烧的
发表于 2024-9-18 16:17:57 | 显示全部楼层
本帖最后由 acging 于 2024-9-20 10:30 编辑

vdb问题不大,vds保守一点超10%就有可能损坏器件。
3.3V都超30%了,很危险。


关于这个问题,以前咨询过tsmc,fab认为vds是非常tricky的。
vds耐压跟很多因素有关,典型的比如沟道长度,以及mos四端的电压。
fab当然会比较保守,建议遵守pdk规定10%的限制。
假如要超出耐压范围,有的fab会给一个建议的最小沟道长度。

点评

VDB和VDS,都是pn结,耐压都很高的。 VGS和VGD,才是耐压薄弱环节,通常不能够超过20%,具体值需要参考厂商工艺库文件。  发表于 2024-9-20 13:31
发表于 2024-9-18 16:30:47 | 显示全部楼层
超出30%大概率也不会坏,这种余量很足,但是长久这样工作特性会有改变
发表于 2024-9-18 17:56:24 | 显示全部楼层
一般余量是10%左右,你得翻翻PDK文档
发表于 2024-9-18 17:57:29 | 显示全部楼层


陈腾腾 发表于 2024-9-18 16:30
超出30%大概率也不会坏,这种余量很足,但是长久这样工作特性会有改变


不好说,有些工艺是真差,10%都顶不住
发表于 2024-9-20 08:39:28 | 显示全部楼层
2.5V器件的GOX电性厚度在60A左右,正常可以over-drive到3.3V,所以管子加到3.3V不会烧毁
发表于 2024-9-20 10:15:33 | 显示全部楼层
2.5V  Vds耐压远不止3.3V,5V大概率也是可以的,这些参数能查到
发表于 2024-9-20 22:14:00 | 显示全部楼层
只要工艺不是特别烂,不会烧。但是,设计不应该建立在仅仅不被烧的基础上。
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