2.5V 的MOS 管最大能承受多大电压？

sofie · 发表于 2024-9-18 15:49:38

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管子是2.5V器件，如果VDS or VDB在某状态下达到3.3V，这个管子会烧毁吗？ VGs不会有3.3V。

iTaogo · 发表于 2024-9-18 15:50:51

不会烧的

acging · 发表于 2024-9-18 16:17:57

本帖最后由 acging 于 2024-9-20 10:30 编辑

vdb问题不大，vds保守一点超10%就有可能损坏器件。
3.3V都超30%了，很危险。

关于这个问题，以前咨询过tsmc，fab认为vds是非常tricky的。
vds耐压跟很多因素有关，典型的比如沟道长度，以及mos四端的电压。
fab当然会比较保守，建议遵守pdk规定10%的限制。
假如要超出耐压范围，有的fab会给一个建议的最小沟道长度。

陈腾腾 · 发表于 2024-9-18 16:30:47

超出30%大概率也不会坏，这种余量很足，但是长久这样工作特性会有改变

Shiroihane · 发表于 2024-9-18 17:56:24

一般余量是10%左右，你得翻翻PDK文档

Shiroihane · 发表于 2024-9-18 17:57:29

陈腾腾发表于 2024-9-18 16:30
超出30%大概率也不会坏，这种余量很足，但是长久这样工作特性会有改变

不好说，有些工艺是真差，10%都顶不住

zjs315499632 · 发表于 2024-9-20 08:39:28

2.5V器件的GOX电性厚度在60A左右，正常可以over-drive到3.3V，所以管子加到3.3V不会烧毁

semico_ljj · 发表于 2024-9-20 10:15:33

2.5V Vds耐压远不止3.3V，5V大概率也是可以的，这些参数能查到

acrofoxAgain · 发表于 2024-9-20 22:14:00

只要工艺不是特别烂，不会烧。但是，设计不应该建立在仅仅不被烧的基础上。

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