LDO功率管状态

ICdesigner001

狒狒的柯基 发表于 2024-9-10 10:05
1.论文以IEEE上有的为主，如果对模块还没有基本的认知（原理，指标等），可以先看一些硕博论文。相关的书 ...

您好，感谢解答，我还想了解清晰一些。开关工作在线性区我在拉扎维书上看到了，十分感谢。

PMOS在LDO做功率管，就算低压差时，Vds很小，这时候Vgs应该也很小吧，再减去一个VTH，还是在饱和区啊，我的想法时哪里出了问题呢，希望您可以再解答下，万分感谢。

ICdesigner001

semico_ljj 发表于 2024-9-10 09:07
对，LDO，low dropout
既然考虑这low dropout，那么必然多数情况是线性区

您好，可以解释下为什么是在线性区吗，我想知道过程原因是怎么来的，就上面的问题“如果你的dropout本来就很小了（比如3.3~3，2~1.8），那么重载大电流时功率管在线性区工作几乎就是必然的(Vds太小)。”可以帮忙解答下吗，十分感激。

狒狒的柯基

ICdesigner001 发表于 2024-9-10 11:22
您好，感谢解答，我还想了解清晰一些。开关工作在线性区我在拉扎维书上看到了，十分感谢。

PMOS在LDO做 ...

中等负载电流的时候在饱和区是正常的。这里要考虑重载情况，这个时候功率管电流很大，那他的Vgs就不能小，不然他承受不了大电流。或者你就只能像我上面说的一样加大功率管尺寸，那么这就会出现我之前说过的问题。这实际上就存在trade off，大电流、低压差时你要工作在饱和区要付出很大代价的。
当然了如果你的最高负载电流本来也就没那么大，那重载下功率管工作在饱和区自然也是可以的，还是要具体情况具体分析，选择适合你指标的一种。

ICdesigner001

狒狒的柯基 发表于 2024-9-10 11:48
中等负载电流的时候在饱和区是正常的。这里要考虑重载情况，这个时候功率管电流很大，那他的Vgs就不能小， ...

十分感谢谢谢

星河欲转adv

狒狒的柯基 发表于 2024-9-9 18:54
其实他们俩说的都有一定道理，只是看你更关心什么。我就以常见P功率管的情况举例分享个人看法。

谢谢老哥 菜鸟看着太受用了