小弟最近做了个电压存储读出阵列，遇到点问题想请教各位前辈

swucc2023 · 发表于 2024-9-7 09:48:53

IN是输入线，将一系列电压依次写到各个1T1C上，最后在共用1T1C里的开关作为读出开关，通过SF读出去，但是小弟发现明明存储单元上存的一系列电压本来应该是正弦，但是读出拼起来的波形就不好看了。。。然后看了一下每个存储电容上的波形变化，发现读出会导致电容上电压发生一点变化。请问如何操作才可以让读出时存储电容上的电压别变呢（貌似不可能，会电荷重分配？），但是看paper里也用的这种结构

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yangleiqiang · 发表于 2024-9-7 13:47:43

电容小了

swucc2023 · 发表于 2024-9-7 18:47:26

yangleiqiang 发表于 2024-9-7 13:47
电容小了

但感觉大一点也容易有这个问题，但是论文里确实有人用这个

yangleiqiang · 发表于 2024-9-7 22:43:29

swucc2023 发表于 2024-9-7 18:47
但感觉大一点也容易有这个问题，但是论文里确实有人用这个

用差分信号存储

swucc2023 · 发表于 2024-9-8 12:47:48

yangleiqiang 发表于 2024-9-7 22:43
用差分信号存储

感觉也不行，因为读出的时候，两个差分电容上的电压还是会变，而且应该不是相同的变化，因为差分一个是负的一个正的

swucc2023 · 发表于 2024-9-8 15:31:30

小弟觉得应该是读出时开关导通，导通之路的电流导致电容上变化了，感觉似乎没法避免这个问题，并且SF输入端的电容要和存储电容进行电荷重分配啥的。然后SF输入端电压在读每个存储电容时是不一样的，导致分配没规律

swucc2023 · 发表于 2024-9-9 08:36:46

顶一哈，感觉这个问题不能避免，但是论文有确实有人用

swucc2023 · 发表于 2024-9-19 21:28:23

顶一下顶一下

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