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[求助] VDD 到 IO 之间的ESD 器件选择

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发表于 2024-9-4 18:37:06 | 显示全部楼层 |阅读模式

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看到的资料上,  VDD到 IO 之间的ESD 器件都是选择 GDPMOS 或者 P+/NW diode,  为什么不用电流能力更强的 GGNMOS?  这个是有什么讲究吗? 求大神解惑
发表于 2024-9-4 20:31:47 | 显示全部楼层
GGNMOS是NMOS,要放在PWELL里面,你IO和VDD之间的保护,PW接哪里?

这种问题不需要问啊,稍微动点脑子就想到了。
发表于 2024-9-5 09:38:46 | 显示全部楼层
ESD设计也遵循电路设计的最基本原则和工艺兼容原则。上管用N管得用Iso管。很多CMOS工艺里都没有提供Iso的N管。上P下N才能兼容工艺。
 楼主| 发表于 2024-9-18 18:29:02 | 显示全部楼层
实际常用的BCD 工艺里面都有ISO 器件, 但是FAB 建议的依然是用PMOS。

最近听一个大佬的讲座, 大佬说是为了寄生电容的温度系数匹配
 楼主| 发表于 2024-9-18 18:33:11 | 显示全部楼层


andyfan 发表于 2024-9-4 20:31
GGNMOS是NMOS,要放在PWELL里面,你IO和VDD之间的保护,PW接哪里?

这种问题不需要问啊,稍微动点脑子就想 ...


ISO  GGNMOS 为什么不行?  实际上我们有些特殊的设计只做IO 到 VDD的 ESD, 以及VDD 到 VSS 的 Power clamp,  都用ISO stack
发表于 2024-9-26 17:10:47 | 显示全部楼层
NMOS有明显的snapback,对LU不友好,容易翻车吧。
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