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[求助] 关于mos模型问题

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发表于 2024-9-2 17:08:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教大家,仿真时看到反相器,输入为0时,VDD在缓慢上电,这时输出等于VDD。从原理上这时|VGSp|<|Vthp|,|VGSn|=0<|Vthn|,n管p管处于截止,为什么这时输出会更随VDD呢?是因为mos管模型建立的问题吗?还是实际上它就是这样工作的呢?谢谢大家
 楼主| 发表于 2024-9-2 17:09:54 | 显示全部楼层
菜菜顶顶
发表于 2024-9-2 17:37:31 | 显示全部楼层
"|VGSp|<|Vthp|,|VGSn|=0<|Vthn|,n管p管处于截止" 实际上所谓的截至,并不是电阻就是无穷大,当vgs<vth 之后,vgs每下降100mv左右,Ron减少为1/10, 所以跟随VDD的原因就是PMOS的Ron<<NMOS的Ron。
 楼主| 发表于 2024-9-3 09:13:03 | 显示全部楼层


感谢大佬
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