一个关于DCBV的疑问

Wzx_imos · 发表于 2024-9-2 11:32:24

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GGNMOS通常是栅极直接接地，而GCNMOS，栅极是通过一个10K到100k左右的电阻接地，利用NMOS的漏极侧到栅极的寄生电容，和这个外加电阻形成RC串联形式的ESD侦测电路用来侦测ESD波形，并在ESD到来之时在MOS管的栅极上耦合一个电压，开启MOS管的沟道泄放ESD电流。

但是最近看某Fab场提供的PDK文件时发现一点让我很疑惑的东西。就是在栅极耦合电阻接地的做法居然能够降低器件的“DCBV”，我不是很明白这个做法降低器件DCBV的原因，求大佬解答。一般来说这个电阻应该只是在ESD这种瞬态事件的时候才会产生作用，为啥测静态的DCBV也会有影响呢？

Wzx_imos · 发表于 2024-9-2 11:39:02

感觉是测量误差

抱歉打扰了。这帖子没法删除了

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