在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 664|回复: 7

[求助] 动态比较器后面接RS锁存器的时候,比较器会比较错误,这是为什么?

[复制链接]
发表于 2024-9-2 10:10:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
这是我用的动态比较器和RE锁存器:

或非门组成的RS锁存器

或非门组成的RS锁存器

或非门

或非门

完整的仿真

完整的仿真
;后面不接为了保持数据的RS锁存器的仿真结果是:

不加RS锁存的仿真结果

不加RS锁存的仿真结果
;如果接了RS锁存器再去仿真:

加了RS锁存的仿真结果

加了RS锁存的仿真结果
;大佬们,这个问题出在哪里,会不会是RS锁存器预先存在的Q和Qn影响到了X和Y点的充电,那应该怎么解决呢?







动态比较器

动态比较器
发表于 2024-9-2 11:01:21 | 显示全部楼层
比较器上下P/NMOS都接了CLK所致
发表于 2024-9-3 15:51:07 | 显示全部楼层
本帖最后由 hsly 于 2024-9-3 15:54 编辑

目前就两个猜测:1、图中的vdc器件VOS存了一个不为零的值;2、第二级的kickback引起,尝试在XY点加一点电容减小第二级kickback对第一级比较的影响,这个过程中保证比较器输入管的gmoverid
 楼主| 发表于 2024-9-3 17:15:28 | 显示全部楼层


hsly 发表于 2024-9-3 15:51
目前就两个猜测:1、图中的vdc器件VOS存了一个不为零的值;2、第二级的kickback引起,尝试在XY点加一点电容 ...


VOS的值设的0,老师,为啥在X和Y加电容可以减小回踢呢?是在x和y之间放还是接地放?

发表于 2024-9-4 10:35:57 | 显示全部楼层
你上边那个PMOS可能有点不够强,限制了带宽。试试低频可以不,再去掉RS  LATCH 在CMP out加个100fF的CL试试
发表于 2024-11-18 17:37:39 | 显示全部楼层
想问一下楼主输出结果VOUTP和VOUTN分别有个上升沿和下降沿,这是什么导致的呀
 楼主| 发表于 2024-11-18 19:17:32 | 显示全部楼层


feiby0126 发表于 2024-11-18 17:37
想问一下楼主输出结果VOUTP和VOUTN分别有个上升沿和下降沿,这是什么导致的呀 ...


貌似是锁存器在初始的输出并不是高电平或低电平,是处在中间范围,比较器复位后,RS锁存的输出就会变得正常的

发表于 2024-11-18 19:48:10 | 显示全部楼层
学习一下
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-26 16:22 , Processed in 0.021525 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表