sansen的ClassAB输出级，交叉耦合结构消耗电压过大。

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如图，是sansen书上的交叉耦合四重单元为基础的ClassAB输出放大器，我在复现的时候用的是3.3V的电源电压，M9M10输入两端给的是中轨附近1.8，但是M9M3这条支路或者M10M6这条支路，由于从输入栅极向下会消耗两个VGS，并且因为体效应，阈值电压抬高后都超过900mv。所以下面的NMOS电流源根本无法正常工作。所以输入范围被限制得很高！我想的是为了消除体效应，能不能直接将M3M9的源极和衬底连在一起 ？因为用的是DNW的NMOS，这样DNW_NMOS和PMOS都做在DNW里面，这样行吗？



我想大概率好像是不行的，那样这种结构岂不是必须用在高压情况下了，尤其是输入过来的就已经是高摆幅信号了，一旦输入稍微大点，这个结构就不能工作了，我跑tran果然如此！
怎么解决呢？求助各位探讨一下！包括它后面几个PPT我都感觉难以用3.3v来工作。