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[求助] LDO功率管为N还是P

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发表于 2024-8-22 18:11:36 | 显示全部楼层 |阅读模式

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求助个LDO问题,为什么N管作为功率管可以不不需要片外电容呢。

N管与P管做功率管的根本区别是什么呢。

谢谢大家。


补充内容 (2024-9-9 15:06):
请问LDO中的MOS管工作状态,N功率管与P功率管的工作状态一样吗,我再网上查信息有讲在饱和区,有讲在线性区,工作状态的依据是什么,求赐教感谢
发表于 2024-8-22 19:01:04 | 显示全部楼层
p管效率高
发表于 2024-8-26 11:36:20 | 显示全部楼层
N管PSR好,输出阻抗小,但压差大,效率低;
P管压差小,效率高,但多了一级,一般要补偿,PSR差
 楼主| 发表于 2024-9-9 14:42:16 | 显示全部楼层
 楼主| 发表于 2024-9-9 14:43:27 | 显示全部楼层


CCHENGW 发表于 2024-8-26 11:36
N管PSR好,输出阻抗小,但压差大,效率低;
P管压差小,效率高,但多了一级,一般要补偿,PSR差 ...


感谢感谢
发表于 2024-9-16 18:08:51 | 显示全部楼层
需不需要片外点容应该不取决于用什么功率管吧,还得看环路怎么设计。一般来说NMOS的输出阻抗小且源端为输出,输出跳变时本身有个反馈到栅极 (VGS直接受到输出影响)所以响应速度和带宽容易做一点。但是栅极一般需要加个charge pump因为栅极电压要比输出还要高出一个Vth
发表于 2024-9-16 18:09:57 | 显示全部楼层


HingTai 发表于 2024-9-16 18:08
需不需要片外点容应该不取决于用什么功率管吧,还得看环路怎么设计。一般来说NMOS的输出阻抗小且源端为输出 ...


主要环路稳定就可以,响应速度快也可以不需要大输出电容
发表于 2024-9-16 18:15:58 | 显示全部楼层
工作状态取决于负载能力吧,如果压差太小,负载又太大,功率管就容易压进线性区。(比如,Iload变大,|VGS|增大,|VDS,sat|增大,然而VDS(压差电压)还比较小,自然就被迫进入线性区了)。结果是功率管增益会变小,环路补偿和零极点位置可能会受影响。
发表于 2024-9-30 11:12:39 | 显示全部楼层
kkkkkkkk
发表于 2024-9-30 13:44:01 | 显示全部楼层


CCHENGW 发表于 2024-8-26 11:36
N管PSR好,输出阻抗小,但压差大,效率低;
P管压差小,效率高,但多了一级,一般要补偿,PSR差 ...


你好,为什么n管psr好
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