TSMCN28 Layout Rules请教（SRAM）

JekinBrown

1. TSMCN28 HPCP工艺中的SRAM版图规则中有一个名为RODMY的规则，见图一图二；没有太理解这个rule的意义和作用；
2. 在TSMC Memory Compiler的SRAM的版图中，有长方形的Contact，也就是对缩小尺寸至关重要的“M0”，如图三；这个长方形通孔的相关规则在TSMC CLDR002和CLCL054文档中我并没有查到；
2. 同样在TSMC Memory Compiler的SRAM的版图中，有层号为30;21与30;22的Layer，对应名称分别为CO_TESTB和CO_TESTC，显然都是Contact相关的，这两个特殊的Contact覆盖/部分覆盖了SRAM的栅到有源区的特殊Contact，如图四；这两层的作用和规则在TSMC CLDR002和CLCL054文档中我并没有查到；

望各位不吝赐教！