关于GaN Driver的一点问题，求大佬点拨

yumosky · 发表于 2024-7-14 12:31:15

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最近在看氮化镓驱动方向的资料，其中驱动级一般用推拉式输出。很多论文里上拉管都用nmos，“due to the lack of p-type devices”,但是我还阅读了一些产品的datasheet，上面所画的驱动级都很常规，用的是buffer驱动上拉pmos下拉nmos，我就感觉比较迷惑了。难道是驱动的氮化镓器件有所区别？还是说产品实际上还是nmos作上拉？

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DD_cebelas · 发表于 2024-7-15 19:45:40

那篇paperˋ是Monolithic GaN Power MOS + Driver

用GaN process把 Power MOS 跟driver做一起,

GaN Process Ptype 很難整合一起, 加上p type GaN 特性很爛, 所以才會看到上面是用N type做

底下是driver (BCD, CMOS)的process當然不同

huanghui220 · 发表于 2024-7-16 09:15:16

受教啦
不知道专门做GaN的驱动芯片有没有前途？

yumosky · 发表于 2024-7-16 11:23:17

DD_cebelas 发表于 2024-7-15 19:45
那篇paperˋ是Monolithic GaN Power MOS + Driver

用GaN process把 Power MOS 跟driver做一起,

噢噢对对，后来又仔细看了下，paper里的管子是HEMT，而datasheet里面是cmos。

还有一个小问题想请教下，现在class-D PA的pull-up pull-down都是nmos，是因为pmos占的面积大吗？

如果用BCD做单独的driver，工作电压也就10V左右，功耗也没class-D那么大，开关频率也不高，pull-up做成pmos应该完全可以胜任吧

DD_cebelas · 发表于 2024-7-30 06:01:33

yumosky 发表于 2024-7-16 11:23
噢噢对对，后来又仔细看了下，paper里的管子是HEMT，而datasheet里面是cmos。

Class D PA 除了面積考量以外還有THD..等

你所說的用PMOS可以, 就自己drive PMOS的時候要確保Vgs不要overstress

yumosky · 发表于 2024-8-8 21:01:23

DD_cebelas 发表于 2024-7-30 06:01
Class D PA 除了面積考量以外還有THD..等

你所說的用PMOS可以, 就自己drive PMOS的時候要確保Vgs不要ove ...

ok,thanks

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