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[求助] RFSOI 中的体接触body contact

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发表于 2024-7-10 15:57:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 yurunji 于 2024-7-10 18:17 编辑

body contact是为了解决浮体效应,也就是部分耗尽后留下的一部分硅膜,这一步是怎么具体操作的,以及为什么是pmos通过N注入来做体接触,如图所示,看起来是体区和source端直接接在一起了,这是什么做法(蓝色虚线是n注入,红色p注入),烦请赐教

微信截图_20240710155738.png
 楼主| 发表于 2024-7-10 16:00:16 | 显示全部楼层
本帖最后由 yurunji 于 2024-7-10 16:02 编辑

感觉这个做法类似我之前做过的butted做法,但原理肯定不是一样的,但都是把有源区接出去同时注入不同离子,区别是这个同时也会有poly的处理,butted是单纯的AA处理
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