N阱电容的接法

teresa_xie · 发表于 2024-5-31 11:15:37

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BCD工艺中，N阱电容（Mos capacitor on nwell），剖面图如下，栅与N阱之间是栅氧化层，即电容器的介质层。多晶硅与N阱覆盖的部分就是电容器的面积。电容值随栅电压变化而变化。埋层会减轻N阱与下面P衬底形成的寄生电容。

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想问的问题是：
  反向过程中，发现N阱电容周围包围P型tap,而且Ptap与N阱同时接地，栅接电源，为什么这样接呢？
  这样会不会增大PN结导通的可能性？
  周围为什么是Ptap，不能是Ntap吗？

pph_cq · 发表于 2024-5-31 14:47:41

你这个是电源和地的decap电容吧，栅是上级板接电源，N阱是下极板接地，ptap在psub上，只能接地，PN都接地怎么会导通呢？

cucume_cn · 发表于 2024-5-31 14:56:09

N阱外边的ptap只能接地，N阱电容两极哪端接电源哪端接地都行。现在你电容N阱接地是不是还考虑了滤掉psub的抖动？

teresa_xie · 发表于 2024-5-31 15:15:03

cucume_cn 发表于 2024-5-31 14:56
N阱外边的ptap只能接地，N阱电容两极哪端接电源哪端接地都行。现在你电容N阱接地是不是还考虑了滤掉psub的 ...

那如果我将周围的Ptap换成Ntap ,N阱与Ntap一同接电源，栅极接地也是可以的咯？？
N阱接地目前还不知道为什么（还在查……），之前做CMOS工艺用的都是nmos电容，直接三端接电源，栅极接地~~~

teresa_xie · 发表于 2024-5-31 15:22:06

pph_cq 发表于 2024-5-31 14:47
你这个是电源和地的decap电容吧，栅是上级板接电源，N阱是下极板接地，ptap在psub上，只能接地，PN都接地怎 ...

刚刚了解decap 电容： decap主要是滤除电源上高频噪声；还有电源开启/关断时稳定电流的作用。之前画的时候很少遇见过N阱接地，一般都是接高电位的~~ 这样接总是觉得有问题-.-，psub接地这个没有疑问，要反偏~~

ncash0933 · 发表于 2024-5-31 16:36:45

谢谢分享

wyg8871 · 发表于 2024-6-3 10:22:17

nmoscap的类型决定了电容负极板是NW，一般会接VSS，（RF区域好多地方负极接net，同理）周围加psub的目的主要是为了防止latchup。最好所有不同电位的NW之间都加上PSUB，避免电位波动，PNPN导通

熊韵 · 发表于 2024-6-3 10:46:42

这个图容易给人造成误区，N阱下面还有p衬的，然后才是埋层叭。做在p衬上肯定p衬也需要固定电位，这就是为什么有ptap，埋层其实只是相当于个碗，碗里装了一部分的p衬，和硅晶整体的p衬隔离开来。然后n阱接地的话，他其实就是个p管，四端器件的呗，gate相当于上极板，另外三端相当于下极板，电路有啥需求就咋接。倒是不用担心latchup的问题，NP都接地的话相当于寄生三极管短接接地，都接0电位。一般来说只要P和N之间不形成正向电势差，风险都不会大QAQ。个人理解

bing_bing · 发表于 2024-6-3 11:07:58

接什么电位不先去问问电路吗

teresa_xie · 发表于 2024-6-3 15:30:27

wyg8871 发表于 2024-6-3 10:22
nmoscap的类型决定了电容负极板是NW，一般会接VSS，（RF区域好多地方负极接net，同理）周围加psub的目的主 ...

NMOS 怎么会在N阱里面呢？？？

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