单个管子仿真，为什么热噪声密度随着输入gm的增大反而增大？

红红的西瓜 · 发表于 2024-5-23 21:11:39

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想仿真得出大概的4ktγ，但是发现热噪声和gm的相关性有点对不上。增大VGS电源，管子电流增大，gm增大，但是输入等效热噪声反而增大，请问大家这是为什么？

出来打篮球 · 发表于 2024-5-24 09:00:08

热噪声密度的输入为： v = sqrt(4 * k * T * R * B)，温度阻值不变，看下带宽？

红红的西瓜 · 发表于 2024-5-24 10:10:25

出来打篮球发表于 2024-5-24 09:00
热噪声密度的输入为： v = sqrt(4 * k * T * R * B)，温度阻值不变，看下带宽？

图上面显示的是输入在50GHz下的噪声电压是密度，应该来说是对于4ktγ/gm，gm越大这个值应该小才对。
我这里有个现象，Vds不变，增大Vgs使gm增大，这种情况输入噪声电压稍微增大；Vds不变，Vgs不变，增大W/L使gm增大，这种情况下输入噪声电压则有明显减小。
查了一下BSIM手册，沟道热噪声确实和Vgs有关，看起来像是vgs大会使得热噪也变大。不知道是不是这个原因。

出来打篮球 · 发表于 2024-5-27 15:39:55

红红的西瓜发表于 2024-5-24 10:10
图上面显示的是输入在50GHz下的噪声电压是密度，应该来说是对于4ktγ/gm，gm越大这个值应该小才对。
我这 ...

哦哦跟器件模型有关

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