关于自制隔离电容版图的问题

ouxianglianxish

小弟我想用SMIC180BCD工艺做一个耐压为1200V的隔离电容，目前打算用顶层金属和次顶层金属作为电容的上极板和下极板，IMD作为电介质。但是翻看ITF文件和design rule时发现以下问题：

1.图1的ER具体是什么意思呢？
2.如果按照图1说的M6厚度是4.11um,但是IMD5总共才1.55um，跟图2里描述的有点不对吧
求大佬解答一下。

练习1坤时

ouxianglianxish 发表于 2024-5-17 18:12
好的，谢谢前辈，还想请教一下IMD的耐压能力在哪个文件能看到啊，design rule里面说顶层金属和次顶层金属 ...

IMD是二氧化硅，绝缘体。起的是绝缘和隔离上下层金属的作用。这些内容涉及到的是半导体制程的相关知识，我也不确定SMIC文件里有什么文件会详细描述的。你可以查阅集成电路制造工艺与工程应用这本书（机械工业出版社，温德通著），里面有IMD工艺介绍。

练习1坤时

ER就是电阻，你是觉得图二图示高度与数值不符吗？

ouxianglianxish

凌通通 发表于 2024-5-17 16:32
ER就是电阻，你是觉得图二图示高度与数值不符吗？

所以图1的IMD层的厚度是指两层金属之间的厚度吗？我看图二里面IMD层把金属都算在里面了

练习1坤时

ouxianglianxish 发表于 2024-5-17 17:08
所以图1的IMD层的厚度是指两层金属之间的厚度吗？我看图二里面IMD层把金属都算在里面了
...

IMD就是金属间介质层，这俩肯定不是涵盖的关系。

ouxianglianxish

凌通通 发表于 2024-5-17 17:24
IMD就是金属间介质层，这俩肯定不是涵盖的关系。

好的，谢谢前辈，还想请教一下IMD的耐压能力在哪个文件能看到啊，design rule里面说顶层金属和次顶层金属之间的电介质是USG材质