MOS管的L值过低怎么调？

龙斗士 · 发表于 2024-3-25 22:17:59

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大佬们求助，有个PMOS管的W/L这边设的是800/350，但是LVS仿真应该是显示350过小，最低500.但是我用的是180nm工艺啊，之前的350nm工艺好像都能跑的，请问这是为啥啊？可以的话，能在不修改电路的情况下过LVS吗？
请各位大佬帮我解解惑，万分感激！

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nuobeierjiang · 发表于 2024-3-26 01:57:42

管子一般都有最小尺寸要求 180工艺的管子最低尺寸不一定是180 可以多查查工艺库文档里面应该有相应的信息

xduic · 发表于 2024-3-26 08:48:45

你这属于是识别错误

龙斗士 · 发表于 2024-3-26 08:52:18

工艺库文档是在哪啊？LVS的规则文件里吗？

ZN0001 · 发表于 2024-3-26 09:15:43

给你们电路来两捶，设计的管子都是错的画个鸡毛

龙斗士 · 发表于 2024-3-26 10:40:40

所以这是属于识别错误还是设计错误啊？能不能改一下认证啥的来让这个LVS仿真过啊？

ZN0001 · 发表于 2024-3-26 11:10:27

龙斗士发表于 2024-3-26 10:40
所以这是属于识别错误还是设计错误啊？能不能改一下认证啥的来让这个LVS仿真过啊？ ...

设计错误，你即使打散画一个DRC也过不了

龙斗士 · 发表于 2024-3-26 15:21:12

ZN0001 发表于 2024-3-26 11:10
设计错误，你即使打散画一个DRC也过不了

所以，只能更改MOS管的W/L，对吧？

이지은 · 发表于 2024-3-26 15:37:50

pdk问题吧，你把电路cdl导出来看看和电路数值一不一样，一样的话再看看strout的gds对不对，这种一般是电路copy管子来改数值，有时候bug，看着是改了，cdl导出来一看是不对的，就得重新i一个进来

ZN0001 · 发表于 2024-3-26 19:03:41

龙斗士发表于 2024-3-26 15:21
所以，只能更改MOS管的W/L，对吧？

看看DRC对于mos管poly的最小宽度，然后再去看看电路，有可能是出现bug了，去找电路确认一下，给他说说

[求助] MOS管的L值过低怎么调？