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[求助] 蒙特卡洛仿真求助!

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发表于 2024-1-22 16:43:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
200资产
用smic 40nm工艺搭了一个锁存器,想要在考虑工艺变化的情况下进行MC仿真。 比如考虑到MOS管的threshold shift, 将MOS管阈值电压的均值设为0,标准差为20mV去进行MC仿真. 这要怎么设置呢??

发表于 2024-1-22 16:46:29 | 显示全部楼层
一般的MC仿真是用pdk自己的mc lib去跑的,你这样自己设定的分布去跑,会比较麻烦得自己建lib
 楼主| 发表于 2024-1-22 16:51:37 | 显示全部楼层


xuwenwei 发表于 2024-1-22 16:46
一般的MC仿真是用pdk自己的mc lib去跑的,你这样自己设定的分布去跑,会比较麻烦得自己建lib ...


是的,我尝试去把.ilb中关于MOS管的描述copy出来 然后尝试新建一个.lib 去对Vth加入均值和标准差,但是好难啊。我发现很多锁存器的文章去求read access pass yield (RAPYCELL) 时,都会考虑到阈值电压的失配然后进行MC仿真,就是不知道怎么实现的,诶
 楼主| 发表于 2024-1-24 14:18:14 | 显示全部楼层


xuwenwei 发表于 2024-1-22 16:46
一般的MC仿真是用pdk自己的mc lib去跑的,你这样自己设定的分布去跑,会比较麻烦得自己建lib ...


请问您知道跑瞬态时 mc怎么看Vth分布吗?
发表于 2024-1-24 14:28:29 | 显示全部楼层


qingqingzi 发表于 2024-1-24 14:18
请问您知道跑瞬态时 mc怎么看Vth分布吗?


你把vth参数 measure 出来就可以了 语句怎么写 你自己摸索一下下
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