自画MOSFET的参数测定

SkkyLee1999

目前设计电路时为了更好的性能和结构的可拓展性，MOSFET的版图调工艺库中最简单的nch_mac，自己添加衬底连接和互连结构，但是在仿真时没法像工艺库自带模型那样直接print出gm/Vth/……等参数，咨询别人说要自己在版图中添加探测点，然后output->to be saved，进行保存，那么请问这个探测点一般怎么加呢？保存探测点的数据后是否要在calculator中通过公式来计算这些参数，还是要搭建特定的testbench来测定？

另：工艺库中自带的模型仿真速度很快，是因为他们转化成了如ASCII码的文件吗？还是进行了calibre文件数据压缩？有类似的方法可以缩短自画MOS管的仿真时间吗？

SkkyLee1999

addition：听同事说，Vth基本只与工艺有关，自己画的MOSFET对Vth几乎无改变（即：用nch_mac作为基础，添加衬底连接和互连结构所得MOS管的Vth和nch_mac中的Vth是一样的），这个说法对吗？