串行NOR闪存MT25QL128ABA8ESF-0SIT、S25FL128SAGMFI000 存储器

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1、MT25QL128串行NOR闪存可满足消费电子、工业、有线通信以及计算应用的需求。这些器件采用行业标准封装、引脚分配、命令集和芯片组兼容性，易于为各类设计所采用。这样可节省宝贵的开发时间，同时确保与现有和未来设计的兼容性。

MT25QL128ABA8ESF-0SIT IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 16SO
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：128Mb
存储器组织：16M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：8ms，2.8ms
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：16-SO
基本产品编号：MT25QL128


2、S25FL128S FL-S NOR闪存器件是采用65nm MirrorBit™技术的2.7V至3.6V/1.65V至3.6V VIO Volt非易失性存储器。128-MB S25FL128S FL-S NOR采用Eclipse架构和页面编程缓冲区设计，允许用户在一次操作中编程多达128个字（256个字节），从而比上一代SPI编程或擦除算法更快速有效地编程和擦除。该器件通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SiO）、可选的两比特（双I/O或Dio）和四比特（四I/0或QIO）串行命令。

S25FL128SAGMFI000 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：128Mb
存储器组织：16M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：-
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：16-SOIC
基本产品编号：S25FL128