关于衬底寄生NPN导通时的等效基区宽度问题

fumes

如果衬底二极管强导通，即N+接-1V，即使离它很远的一个5V N阱会不会形成寄生NPN导通？因为这些器件附近都有P+ guard ring，它们在版图上都用metal相连，所以看似N阱离衬底导通二极管很远，但集电结电流走的是metal，而不是衬底，这样就将寄生NPN的基区宽度（Psub）拉近了，这样是否就会形成NPN强导通？
如果没有衬底metal走线，NPN的增益当然很小，基本不会有大的电流，但如果有metal走线，是不是就不一样了？
我不知道这么理解对不对。

ztstg2018

你的N+ 都 -1V负压了，，都比衬底电位都小了，还用的着讨论寄生NPN导通吗？

夜冷了

一般的话， IO会有LU考虑， 如果输入是对电源和地的dio， 那输入电压低于地活着高于电源就容易拉出电流。 这不是问题，但是你考虑一下， 你的比较器， 输出供电为3V/0V, 输入1V/-1V(-1V/1V)， 这个时候你是否希望它正常工作；
对把， 这个时候，这个-1V 可不光抽电源上的电流， 内部所有的NPN寄生可都被打开了， 你这个比较器还能正常work吗？
再说输出的， 假设输出级是个反向器， 我把输出拉负， 那它会被N管的bulk-Drain dio给钳位住， 这个时候依然会拉嘉盛的NPN， 不过这个时候你对输出没有需求了， 只需要保证它不会被拉死就行，这个时候设计上会要求P/N 拉一个距离， 本质上就是增大寄生PNP的base；

fumes

夜冷了 发表于 2023-11-19 07:57
一般的话， IO会有LU考虑， 如果输入是对电源和地的dio， 那输入电压低于地活着高于电源就容易拉出电流。  ...

问题是集电结电流会不会主要走metal，而不是衬底？

fumes

ztstg2018 发表于 2023-11-17 19:29
你的N+ 都 -1V负压了，，都比衬底电位都小了，还用的着讨论寄生NPN导通吗？

-1V是人为加的，用于功能测试，但会不会带来寄生NPN的强导通？