无源衰减器的性能受工艺角影响很大怎么办

注册也要掏钱 · 发表于 2023-8-17 15:40:24

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用的是多个衰减单元级联的结构，每个单元是pi型衰减或者桥T型电阻衰减结构，如图中所示。一共用了6个衰减单元实现31.5db的衰减。

在TT工艺角下的RMS增益和相位误差都很小。
仿了FF和SS就变得很大了
请问有没有什么好的思路解决这个问题呢？

注册也要掏钱 · 发表于 2023-8-17 15:41:21

顶~顶~顶~顶~顶~顶~顶~顶~

追魂 · 发表于 2023-8-17 16:08:03

行业难题

注册也要掏钱 · 发表于 2023-8-17 16:12:15

追魂发表于 2023-8-17 16:08
行业难题

nanke · 发表于 2023-8-17 18:38:23

工艺偏差就校准，或trimming

[求助] 无源衰减器的性能受工艺角影响很大怎么办