latchUp的问题

Ye_Shi_Wo · 发表于 2023-8-16 18:03:14

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1.latchUp只可能减少，不可能避免吗？如果是不可避免的，那么怎么取舍？

现在已知的解决办法
*Pmos衬底距离管子最小间距，Nmos衬底距离管子最小间距
*管子的guardring再包反类型的guardring，做隔离
*用特殊的氧化层包一下
2.他的触发条件是什么？什么条件下等效的三极管才会正偏？

以上，希望大伙可以一起交流一下心得。

happy_star · 发表于 2023-8-16 18:08:03

可以避免啊

只是成本高像什么sos soi

colindeng · 发表于 2023-8-16 20:02:07

谢谢分享！

Ye_Shi_Wo · 发表于 2023-8-16 20:20:25

happy_star 发表于 2023-8-16 18:08
可以避免啊只是成本高像什么sos soi

哦？可以简要说一下sos,soi吗，还没有听说过

三岁 · 发表于 2023-8-17 11:05:59

Ye_Shi_Wo 发表于 2023-8-16 20:20
哦？可以简要说一下sos,soi吗，还没有听说过

区别于BCD的工艺类型，在衬底上覆盖一层sio2做到物理上隔离，成本较高

young_82 · 发表于 2023-8-17 13:49:56

感谢分享

Ye_Shi_Wo · 发表于 2023-8-17 14:37:28

三岁发表于 2023-8-17 11:05
区别于BCD的工艺类型，在衬底上覆盖一层sio2做到物理上隔离，成本较高

oo ,明白了，就是没有做掺杂，就不用担心有没有latchUp了是吧。物理隔离疗法，太6啦

이지은 · 发表于 2023-8-18 09:33:19

hynix也有噻，isoring，直接物理隔离，DRC还必须围，管你有没有latchup，一个区域内就得围

harbour123 · 发表于 2023-8-18 09:48:17

学习一下

Sxiaojie · 发表于 2023-10-30 13:26:01

带隔离的，带券隔离的工艺，代价就是面积大了

[原创] latchUp的问题

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