耗尽型NMOS管漏极接电源，栅极接地，源极息空时，那么耗尽管的源极电压是电源电压吗？

ZouZhihao_SZU

耗尽型NMOS管漏极接电源，栅极接地，源极息空时，那么耗尽管的源极电压是电源电压吗？

iamshan

这个情况取决于这个耗尽型器件的body effect的大小。
很简单的道理，VG - VS > VT，0 -VS > VT, VS < -VT,  因为耗尽型的VT是负值，所以VS <|VT|。也就是说会传过去一个VT值的绝对值大小的正压。其中VT和VS都是变量，VS是VT的函数；VS = VT(VB=-VT), VT是个变量， 因为传到Source的电压同时给这个device加了一个body bias。加了body bias之后VT会变大，变大后能传到source的电压就会比VS=VB=0V时候的VT要小一些了；
我们判断VT其实是在亚阈值区，器件没有完全开启和关断，实际我们完全传压到soruce的时候device已经完全关断了，所以会有零点几伏的差。这个差和前面因为body bias对VT的影响相互抵消，传到source的电压实际就是在VT(VB=VS=0)附近了。可以做粗略的估计用；

peterlin2010

耗尽型NMOS管  , gate = vss  

这做何用 ?   

CMOS 一般都增强型NMOS管

ZouZhihao_SZU

iamshan 发表于 2023-8-11 00:19
这个情况却决于这个耗尽型器件的body effect的大小。
很简单的道理，VG - VS > VT，0 -VS > VT, VS < -VT,  ...

明白了，谢谢前辈解惑。

ZouZhihao_SZU

peterlin2010 发表于 2023-8-11 06:30
耗尽型NMOS管  , gate = vss  
这做何用 ?   
CMOS 一般都增强型NMOS管

同学给的一个题目

peterlin2010

ZouZhihao_SZU 发表于 2023-8-12 00:12
同学给的一个题目

我是从 reverse circuit 看到 ,  nmos  gate= source .  因为不是 esd , 推论应该 depletion nmos .

dolamos

kan kan