工艺角仿真125℃下ff和fs增益下降较大，该如何修改呢？

LIT1227 · 发表于 2023-8-4 10:11:02

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-40摄氏度下都正常，但是到125摄氏度ff和fs下降最多，sf也有下降，这样我要如何修改才能在高温下使增益恢复？

Bayamx · 发表于 2023-8-4 10:13:08

插眼，这种对极端corner的改善分析我也很头疼

中单一打九 · 发表于 2023-8-4 10:19:09

你的运放是什么结构的，PMOS做输入对管吗？还是NMOS

LIT1227 · 发表于 2023-8-4 10:20:29

中单一打九发表于 2023-8-4 10:19
你的运放是什么结构的，PMOS做输入对管吗？还是NMOS

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这种的

中单一打九 · 发表于 2023-8-4 17:54:46

你把输入管NMOS的length加大试一下

LIT1227 · 发表于 2023-8-5 09:44:12

中单一打九发表于 2023-8-4 17:54
你把输入管NMOS的length加大试一下

我检查了静态工作点第一级没问题，主要是第二级cmfb2电路和与其相连的PMOS管进入线性区，但是我扫描其尺寸发现当PMOS进入饱和区，下面的NMOS就进入线性区，不知道该怎么改了

迷恋奥利奥 · 发表于 2023-8-5 12:05:48

LIT1227 发表于 2023-8-5 09:44
我检查了静态工作点第一级没问题，主要是第二级cmfb2电路和与其相连的PMOS管进入线性区，但是我扫描其尺 ...

是不是你下面PMOS管Vdsat设计的裕度有问题，你那个PMOS管tt室温下的vdsat是多少

LIT1227 · 发表于 2023-8-5 16:25:25

迷恋奥利奥发表于 2023-8-5 12:05
是不是你下面PMOS管Vdsat设计的裕度有问题，你那个PMOS管tt室温下的vdsat是多少
...

PMOS管tt室温下

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knowworlds · 发表于 2023-8-6 10:41:12

高温下Vth增大，你的电压裕度不够了吧。可能你这个结构supply或者分配到每个管子的额度太低了。最后在高vth下就是没办法。你可以尝试用用ulvt的管子。

LIT1227 · 发表于 2023-8-6 15:28:49

knowworlds 发表于 2023-8-6 10:41
高温下Vth增大，你的电压裕度不够了吧。可能你这个结构supply或者分配到每个管子的额度太低了。最后在高vth ...

我也觉得是这个结构没办法在高温下正常，你所说的ulvt具体要怎么使用？有没有一些资料可以分享一下谢谢

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