HCI效应

xiaoli_wu

请问一下各位友友，MOS管的HCI会导致衬底电压升高，寄生NPN开启，雪崩击穿也可以导致衬底电压升高，寄生NPN开启，这个咋区分呢？

fei_SH

NPN开启的电压不一样。 HCI的NPN开启电压要低很多。雪崩击穿导致的NPN开启一般会稍微高于雪崩电压。

xiaoli_wu

fei_SH 发表于 2023-7-26 09:34
NPN开启的电压不一样。 HCI的NPN开启电压要低很多。雪崩击穿导致的NPN开启一般会稍微高于雪崩电压。 ...

还想请教一下，我有这个疑惑的原因是看了几篇文章，有讲利用Isub双峰优化亚微米LDMOS晶体管的安全工作区，然后会出现snap-back现象，不知道我这样理解是否对，HCI和雪崩击穿都会出现snap-back，HCI只会使器件degrade，不会立刻损坏。雪崩击穿后snap-back发生二次击穿，器件直接损坏了。还有就是LDMOS和MOS管关于这个问题是否有不同呢？

fei_SH

xiaoli_wu 发表于 2023-7-26 14:42
还想请教一下，我有这个疑惑的原因是看了几篇文章，有讲利用Isub双峰优化亚微米LDMOS晶体管的安全工作区 ...

你要理解snapback是因为寄生BJT开启了，BJT开启是因为提供了足够的Isub。 Isub可以是HCI效应提供，也可以是由于雪崩击穿来提供。

Isub足够了，就会发生snapback。没有经过ESD设计，发生snapback器件一般就坏了。
单纯的HCI，是指的器件的退化，是可靠性问题，是不会马上坏的。LDMOS的HCI和CMOS的HCI基本原理是一样的，不过LDMOS有时候Isub是单峰，更多的时候是双峰。MOS只有单峰。  snapback来说LDMOS和MOS原理上是一样的。

xiaoli_wu

fei_SH 发表于 2023-7-26 15:25
你要理解snapback是因为寄生BJT开启了，BJT开启是因为提供了足够的Isub。 Isub可以是HCI效应提供，也可以 ...

我看解释都是讲snap-back机理是kirk effect，但是我怎么感觉看起来更像BVceo 二次击穿

fei_SH

xiaoli_wu 发表于 2023-7-26 19:03
我看解释都是讲snap-back机理是kirk effect，但是我怎么感觉看起来更像BVceo 二次击穿 ...

各种效应是物理上的原理，NPN开启是过程，snapback是现象。统一的啊

xiaoli_wu

fei_SH 发表于 2023-7-27 08:50
各种效应是物理上的原理，NPN开启是过程，snapback是现象。统一的啊

非常感谢您，感觉好像理解了！！！我看论文时候各种情况混一起导致特别混乱，然后纠结了很久论文里提到的那个snap-back解释说不是BVceo effect，是Kirk effect，成功把自己绕晕了