反偏二极管解决天线效应

ZMOS · 发表于 2023-7-20 09:37:10

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如果金属发生了天线效应，常规方法是采用跳线或者添加反偏二极管解决。金属在刻蚀、淀积阶段可能会吸收正电荷，此时反偏二极管怎么快速泄放静电？

若是反向击穿，PN结的反向击穿电压和删氧化层击穿电压相比哪个大？

小哈哈魔头 · 发表于 2023-7-20 09:46:52

应该利用的就是diode反向击穿的原理；因此你说得因该是对的，需要考虑到diode反向击穿电压和栅氧oxide击穿电压的比较，通常这个diode应该是比较小的。

8911 · 发表于 2023-7-20 09:48:59

不太明白眼一下

gtfei · 发表于 2023-7-20 09:55:44

积累正电荷，反向击穿泄放，同时DIO的PN结电容也有吸收正电荷的作用；积累负电荷就正向导通泄放

ZMOS · 发表于 2023-7-27 09:25:54

小哈哈魔头发表于 2023-7-20 09:46
应该利用的就是diode反向击穿的原理；因此你说得因该是对的，需要考虑到diode反向击穿电压和栅氧oxide击穿 ...

diode反向击穿电压和栅氧oxide击穿电压哪个大呢

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