两级运放问题求助

ythuguihua

1.一二级连接处3点电压是由谁控制的？如果34管线性区的话，该如何调整？
（这里我尝试仿真发现输入共模电平确定之后3点电压就确定了，然后尝试调整M6M7的电流和宽长比发现并不能改变3点电压，但是拉扎维书上说这个3点电压是M6确定的。就很矛盾）
2.复旦二级运放说电阻放置在1.2gbw处。（MOS电阻栅极电压为什么接在偏置上？这样做的目的是什么？如何保证他一定工作在线性区。mos电阻的栅压怎么给的有什么技巧吗）
3.复旦二级运放中说如果第一级五个 MOS 管处于饱和区，那么第二级两个 MOS 管一定处于饱和区。（这里是为什么？）
4.对于大的负输入阶跃，M1、M3 和 M4 截止，M2 导通，M5 的电流全部流经 M2 并流过 Cc。由于 M7 有足够的电流流过 M6，VGS6保持恒定，即节点3电压不变，导致节点 5 电压有负向同样斜率的梯度。（怎么判断正负？）
5.对于负载电容 CL也要充放电。对 CL放电不存在问题，因为当 M6 过度驱动（VGS6很大）时可以流经很大的电流。但是当对 CL 充电时，只能在有限的时间内实现，因为CL是通过 M7 进行充电的。如图 3.5 所示，由于 M7有一部分电流 IDS5要留过 Cc，所以只有 IDS7－IDS5的电流经过 CL。这样一来，对于正的输入阶跃，内部节点 3 的电压会下
降，也会减少流经 M6 的电流。电流 IDS7－IDS5对 CL充电，导致一个正的电压梯度（这里如何使用KCL分析充放电如何判断对负载CL到底是充电还是放电呢）

xuwenwei

1，3点的电压是M1~M5的工作电压决定的，但是M1~M5的工作电压又是由VN和VP决定的，运放用于反馈环路中，因此VN是和输出5点连接或者相关的，因此才会说3点由M6决定，当然了主要是M6决定，其他的也是有影响的；
2. mos管用作电阻，你栅极肯定要给电压的，当然你可以给电源电压而非偏置电压，但是电源电压给了之后你的栅极电压就定了，随着PVT的变化，你mos管的Ron会变，这样不利于补偿，但是用偏置后，栅极也会随着PVT变化会好一点；怎么保证在线性区就是靠你去设计了，这部分就是模拟电路工程师要做的，不然电路都是一样的，工程师还做什么呢？对吧。线性区电压要求都知道，根据这个要求去做就好了。哪个电压不够就增加，哪个电压大了就减小。
3. 这个不一定的吧，正常设计的时候会保证各种工作条件下管子都在饱和区，但是有些情况前面5管是饱和区，但是输出级有时候会进行线性区。除非你这里是输出直接连接到输入了，这种的话如果输出进入线性区的话，输入5管会有管子进入截止或者亚阈值区的。
4. 你这里问题有点看不懂，如果你是判断方向的，VN变大，3点变大，5点变小，所以VN是负端
5. 这里的充放电就是看的输出电压被往上拉还是往下拉，因为你要维持这个输出电压，如果被往上拉，那么你的nmos就需要打开给个下来的电流，就是输出从高到低，放电过程，反之一样，但是由于你说的pmos电流恒定，所以充电能力不太够，所以会有class ab类的运放出现

ythuguihua

                               
登录/注册后可看大图

hyyyhh

个人理解:
1、开环的话3点电压是靠diode连接的M3确定的；单位负反馈时，为了保证M6的电流，由于电流镜的失配，３点电压会变化保证vo=vcm
2、M14漏极4点接电容开路，栅极电压大于Vth导通所以在深线性区；偏置给发是PVT不敏感的MOS电阻，保证调零的效果。1.2GBW个人感觉是保证doublet不影响建立速度的条件下，增大相位裕度
3、第三个不理解，感觉可能是从没考虑沟长调制考虑的

zhang489594357

1.先搞清楚电路的直流工作点
2.偏置电路的启动电路
3.运放开环状态--->单位增益反馈，通过环路stb仿真，可等效仿真运放的开环幅频特性
4.正常情况，电流偏置建立后，M3不会处于线性区，M4处于线性区时，说明M4管漏端电压很低，问题指向M7偏置未建立，此外VP和VN是dc状态是否近似相等
5.参考一个仿真方法，VP输入一个直流电压VCM，VN反馈连接至5端（串接一个analogLib 库iprobe），进行dc+stb仿真

dolamos

kan kan