（供求）SCTW90N65G2V 650V、SCTWA60N120G2-4 1200V碳化硅功率MOSFET

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明佳达电子/星际金华（供求）SCTW90N65G2V 650V、SCTWA60N120G2-4 1200V碳化硅功率MOSFET ，如有需求，欢迎联系陈先生qq 1668527835 咨询洽谈。



1、SCTW90N65G2V 650V 碳化硅功率MOSFET采用HiP247封装，具有24mΩ（典型值）和119A（额定值）特性。这款碳化硅功率MOSFET器件是采用 ST 半导体先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发的。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。

特点：
非常高的工作结温能力(TJ = 200°C)
非常快速和稳健的内在体二极管
极低的栅极电荷和输入电容


应用：
切换应用
可再生能源系统供电
高频DC-DC转换器





2、SCTWA60N120G2-4 1200V 碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。该功率MOSFET采用HiP247-4封装，具有52mΩ（典型值）和60A（额定值）特性。

FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 30A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：94 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1969 pF @ 800 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：388W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-4
封装/外壳：TO-247-4