STI填充材质的问题

zed99 · 发表于 2023-6-8 17:10:58

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看那个模拟版图的艺术这本书上说是在侧壁生成氧化层之后淀积多晶硅，但是看的很多资料里淀积的是二氧化硅，是因为工艺问题吗

ic_wangtz · 发表于 2023-6-8 17:17:36

应该不会是多晶硅

zed99 · 发表于 2023-6-8 17:20:11

ic_wangtz 发表于 2023-6-8 17:17
应该不会是多晶硅

对，之前看多很多资料说的都是二氧化硅，但是最近没啥项目就看了眼那本书，然后就看到了那个，多晶硅一般不是用来制作gate的嘛，迷了。。。

ic_wangtz · 发表于 2023-6-8 17:56:17

对啊，淀积多晶硅用来做gate，我觉得应该就是二氧化硅和氮化硅之类的填充物，不需要有啥电学特性本就是隔离，应该不会是多晶硅

zed99 · 发表于 2023-6-9 08:49:55

ic_wangtz 发表于 2023-6-8 17:56
对啊，淀积多晶硅用来做gate，我觉得应该就是二氧化硅和氮化硅之类的填充物，不需要有啥电学特性本就是隔离 ...

对，我之前都是这么想的，但是那本书给我整不会了，但是那是大学的时候学的课本，又不该有问题，很懵逼

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