tsmc65nm工艺的MOS管一般可以给的电源电压多少呀？

273523969 · 发表于 2023-4-16 22:29:31

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我看到挺多人给的是1.2V的，也有看到个别给的是小于1.2V的，想知道具体这个VDD电压能给多少吗，一般来说是1.2V吧，但是我能给小一点的电压吗，有没有什么限制呢？

ICdesign101 · 发表于 2023-4-17 00:26:59

查pdk里面附的document

acging · 发表于 2023-4-17 09:34:44

core器件典型值是1.2V，最高耐压再加10%差不多1.32V，1.32V以下的应用都是可以的。
比如数字电路为了省功耗，取小一些的VDD很常见的。

273523969 · 发表于 2023-4-17 10:42:02

ICdesign101 发表于 2023-4-17 00:26
查pdk里面附的document

我用的是nch_lvt的mos管，但是我好像找不到这个说明

273523969 · 发表于 2023-4-17 10:45:20

acging 发表于 2023-4-17 09:34
core器件典型值是1.2V，最高耐压再加10%差不多1.32V，1.32V以下的应用都是可以的。
比如数字电路为了省功耗 ...

我用的类型是nch_lvt，不知道能不能1V的电压。我看到1.2V的电压的话电流好像偏大，1.0V的电压电流就小很多，但是性能不怎么变化。对了大佬我想问问您一般MOS管的id电流能到多大呀，如果30多mA的话是不是就太大了，版图的走线都可能达不到那么宽。

acging · 发表于 2023-4-17 14:19:20

lvt只是vth小，耐压跟svt一样的。几十mA管子W/L足够大，走线满足EM rule就行。
看看design rule吧，你的问题都有解答。

273523969 · 发表于 2023-4-17 16:38:29

acging 发表于 2023-4-17 14:19
lvt只是vth小，耐压跟svt一样的。几十mA管子W/L足够大，走线满足EM rule就行。
看看design rule吧，你的问 ...

好的谢谢您，其实我只是本科的毕业设计，我弄出来了电路原理图，然后我在弄版图和后仿（尽量完成），当时没怎么考虑到电流的大小，后面看了一下就稍微调整了一下电路结构压了一下电流，同时性能也下降了一些，因为不可能流片所以不知道要不要弄得那么严谨。

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