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2：供应链
A：这次定了多少片WAFER？
B：24片？每片大约出1000片Die。考虑yield，大约有2万片。
A：封装怎么做？wirebonding还是flipchip。
B：Flip chip 。
A：是在foundry长好bump，还是封装厂家来长bump。
B：foundry直接长好bump送到封测厂。
A: CP和FT都做，还是只做FT。
B：yield不高，基板也很贵，只做CP的话，会浪费太多基板。
A：对对对，这个年头，基板太贵了。
B：我们老板搞到了1000万片基板。
A：牛X！
Foundry ：晶圆厂，专门从事芯片制造的厂家，例如台积电（TSMC），中芯国际（SMIC），联电（UMC）。对应的就是fabless，就是设计厂家，就是没有晶圆厂。
Wafer：晶圆。
Die ：晶圆切割后，单个芯片的晶圆，这个需要加上封装好的外壳才能能变成芯片。
Chip：最后封装后的芯片。 Bump ：bumping指凸点。在wafer表面长出凸点（金，锡铅，无铅等等）后，（多用于倒装工艺封装上，也就是flipchip）。 Wirebonding：打线也叫Wire Bonding(压焊，也称为绑定，键合，丝焊)是指使用金属丝(金线、铝线等)，利用热压或超声能源，完成固态电路内部接线的连接，即芯片与电路或引线框架之间的连接。 Flipchip：Flip chip又称倒装片，是在I/Opad上沉积锡铅球，然后将芯片翻转加热利用熔融的锡铅球与陶瓷基板相结合。 CP：直接对晶圆进行测试，英文全称Circuit Probing、Chip Probing，也称为晶圆测试，测试对象是针对整片wafer中的每一个Die，目的是确保整片wafer中的每一个Die都能基本满足器件的特征或者设计规格书，通常包括电压、电流、时序和功能的验证。可以用来检测fab厂制造的工艺水平。 FT：FT测试，英文全称FinalTest，是芯片出厂前的最后一道拦截。测试对象是针对封装好的chip，CP测试之后会进行封装，封装之后进行FT测试。可以用来检测封装厂的工艺水平。 Yield ：良率，芯片的良率这个和工艺比较相关，芯片有一定几率失效，芯片越大，失效的几率也越大。 解释一下：为什么不直接做FT，而先做CP再做FT，这个是因为，CP针对晶圆，如果坏的Die就不用再去做封装了，省下封装的费用和基板的费用。 为什么不只做CP，而忽略FT，这个是因为CP测试完毕后，在封装过程中还会引入芯片失效，所以还需要做FT来将失效的芯片去掉。 这个是一个权衡的过程，如果芯片良率足够高，封装成本不敏感，CP测试省掉，直接做FT也是可以的，因为CP测试本身也是需要成本。这个就是计算良率的问题。 目前来看，芯片行业整个供应链都很紧张，所以能够抢到产能，包括抢wafer，抢基板，这些对于芯片厂商来说，都是当下的最重要的事情。 除了产能，其他都不是事！ 补充：①材料来源方面的区别 以硅工艺为例，一般把整片的硅片叫做wafer，通过工艺流程后每一个单元会被划片，封装。在封装前的单个单元的裸片叫做die。chip是对芯片的泛称，有时特指封装好的芯片。 ②品质方面的区别 品质合格的die切割下去后，原来的晶圆就成了下图的样子，就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。这些残余的die，其实是品质不合格的晶圆。被抠走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，会被原厂封装制作为成品NAND颗粒，而不合格的部分，也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。 ③大小方面的区别 封装前的单个单元的裸片叫做die。chip是对芯片的泛称，有时特指封装好的芯片。cell也是单元，但是比die更加小 cell <die< chip。 | 
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发表于 2023-3-17 16:34:45
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