nor flash erase 过程

IC2019

nor flash  erase 过程 :  prepgm ---erase---Recovery Phase   三个步骤，第一个prepgm是为了仿真 过度erase吗？第三个是什么过程，为何还要恢复？

LeiHu

第一个prepgm是为了将所有的cell都prg到同样的深度，再结合erase，能干净的回复到相同的状态，防止多次prg以后erase不干净，管子vth已经有很大差距，影响后面再进行prg

Jupiter_Liu

user mode是包含这三步的，test mode 是可以分开做的；
先谈根本原因
因为在erase的时候，你不知道一个sector或则block里的VT情况，有高也有低。[b]如果只做erase，就会导致同样的erase pulse 之后，VT分布非常宽。如果我要把Vt最高的bit erase到target (比如3V）那么，最低的Vt可能就跑到负的了(<0V)
Nor flash特殊的结构决定了其VT不能为负；（如果为负，会导致整根BL上其他"0" bit读错）；
prepgm目的就是先通过一个PGM的动作（比正常PGM要弱），先让这个block或者sector里的VT分布尽量差不多。
Recovery Phase，也叫OEC或者soft PGM。（非常弱的PGM）就是为了让那些Vt为负的bit为正，但对VT为正的bit没啥影响。