gate driver中反相器vgs太高超过耐压怎么办？

YXLSam

各位大神，请问我最近做的这个设计中，由于M0要工作在线性区，所以采用了自举电路把A点的电压抬上去，再通过一个驱动电路把电压送到M0栅极，实现其工作在线性区，但是报了一个warning，就是说我的driver里的pmos的VGS不能超过26V，但是如果反相器pmos要到同的话Vg就得是0V，而A点的电压又必须得比VIN高，也就是说如果输入为20V，那这样A电为40V，肯定会高于26V，请问这种情况，在不换工艺的前提下，有什么解决办法呢？或者有什么关键词可以让我有一些查资料的方向呢？求助各位大神了

龙十三少95

自举电路，是用低压去驱动，你用20V去驱动，肯定超压；你用的MOS器件VGS 是不能耐高压的，前面的驱动部分也是BST和LX之间去做电路

YXLSam

龙十三少95 发表于 2023-2-13 17:44
自举电路，是用低压去驱动，你用20V去驱动，肯定超压；你用的MOS器件VGS 是不能耐高压的，前面的驱动部分也 ...

谢谢大佬，我之前看论文是看到了有BST和LX，但是没细看，我先去查一下这方面的内容

龙十三少95

你的IN端为啥是0~15V

YXLSam

龙十三少95 发表于 2023-2-13 17:49
你的IN端为啥是0~15V

应该就是0~20V，因为之前是不是用的自举电路，用的是电荷泵，我前面是有一个level shift电路的，level shift的VDD也是接的A点电压，之前如果用电荷泵的话理想情况A点电压应该是20V~40V，但是仿真下来可能就是17V~38V左右，所以就写的15V，后面改了电路让level shift直接接了VIN，就是20V了，写错了不好意思hhh

YXLSam

龙十三少95 发表于 2023-2-13 17:49
你的IN端为啥是0~15V

应该就是20V，因为这个前面还有一个level shift电路，level shift的vdd就是接的A点，但是之前没有采用自举电路用的是电荷泵，电荷泵理想情况下A点电压会是20V到40V，但实际下来只有17V~38V左右，所以我就按15V算的，后面Level shift的VDD我就直接接VIN了，就是20V了，这里应该是记混了写错了hhh

adhylin

把反相器拆成上下对管，PMOS的GATE端也浮起来，保证在耐压范围内，NMOS的GATE可以照旧；时序对的齐就好