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PMOS电流驱动能力差: PMOS 用空穴导电,空穴迁移率低,导通电阻大。 R_on≈1/(μ_p " " C_ox " " W/L " " (V_GS-V_th ) )
NMOS电流驱动能力强:NMOS用电子导电迁移率高,Ron 小,适合大电流应用。 R_on≈1/(μ_n " " C_ox " " W/L " " (V_GS-V_th ) )
μ_p<μ_n,所以在相同W/L与偏置条件下: R_(on,PMOS)>R_(on,NMOS), I_(drive,PMOS)<I_(drive,NMOS)
PMOS高频瞬态性能差:输出阻抗在高频仅由电容决定,难以对快速负载突变做出响应。 输出电流方程: i_out=vout/rdsP +SCL vout+gmP vgs
误差放大器输出小信号电压: vg (s)=A(s)" " (vout -vref ),交流里 vref≈0 →vg (s)≈A(s)" " vout (s) vgs=vg-vs因vs在交流为 0 → vgs=(A(s) vout )-0=A(s)" "vout PMOSLDO 输出阻抗: zoP=vout/i_out =rdsP/(1+srdsP CL+A(s) gmP rdsP )
低频(A(s)≫1):z(oP\,LF)≈1/(A(s)" " g_mP )。 高频(A(s)→0):z(oP,HF)≈1/(s" " C_L )。 ΔVout≈zo⋅ΔI_load 高频输出阻抗zoP大→ 当负载电流变化时(ΔI_load),输出电压跌落就越多(ΔVout)→恢复更慢
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