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楼主: IC2019

[求助] LDO使用NMOS管和PMOS管做功率管,有哪些区别?

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发表于 2025-2-26 14:18:17 | 显示全部楼层


   
ChenCH_FST 发表于 2024-4-8 14:25
低压差线性稳压器(LDO)在选择功率管时,通常会在NMOS管和PMOS管之间做出选择。这两种类型的功率管各有其 ...


谢谢
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发表于 2025-6-9 11:01:12 | 显示全部楼层
请教下,为什么PMOS功率管的LDO的运放要接成正反馈
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发表于 2025-9-4 14:30:04 | 显示全部楼层


   
pds懒洋洋 发表于 2025-6-9 11:01
请教下,为什么PMOS功率管的LDO的运放要接成正反馈


PMOS功率管可以看做是一个共源极放大器,本身增益是负的,所以要接运放的正端才能在环路上形成负反馈
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发表于 2025-11-7 11:11:50 | 显示全部楼层
PMOS电流驱动能力差: PMOS 用空穴导电,空穴迁移率低,导通电阻大。
R_on≈1/(μ_p " " C_ox " "  W/L " " (V_GS-V_th ) )

NMOS电流驱动能力强:NMOS用电子导电迁移率高,Ron 小,适合大电流应用。
R_on≈1/(μ_n " " C_ox " "  W/L " " (V_GS-V_th ) )

μ_p<μ_n,所以在相同W/L与偏置条件下:
R_(on,PMOS)>R_(on,NMOS), I_(drive,PMOS)<I_(drive,NMOS)

PMOS高频瞬态性能差:输出阻抗在高频仅由电容决定,难以对快速负载突变做出响应。
输出电流方程:
                                             i_out=vout/rdsP +SCL vout+gmP vgs

误差放大器输出小信号电压:
vg (s)=A(s)" " (vout -vref ),交流里 vref≈0 →vg (s)≈A(s)" " vout (s)
vgs=vg-vs因vs在交流为 0 →  vgs=(A(s) vout )-0=A(s)" "vout
PMOSLDO 输出阻抗:
zoP=vout/i_out =rdsP/(1+srdsP CL+A(s) gmP rdsP )

低频(A(s)≫1):z(oP\,LF)≈1/(A(s)" " g_mP )。
高频(A(s)→0):z(oP,HF)≈1/(s" " C_L )。
ΔVout≈zo⋅ΔI_load
高频输出阻抗zoP大→ 当负载电流变化时(ΔI_load),输出电压跌落就越多(ΔVout)→恢复更慢

                               
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