FVF LDO和NMOS pass device LDO，哪个更适合用于数字负载？

海绵

比如对于PLL、digital loading 等瞬态电流巨大的负载，哪种结构的LDO更适用？（PMOS\NMOS\FVF）？

瞬态响应，PSR、噪声、稳定性等方面来分析

分别对比下各自优劣，或者提供一些对比上述三种结构的参考文档我去看也可以，感谢！

海绵

dingyixia

143800

如果电源电压裕度够的话，NMOS最好，因为NMOS有自适应调节能力，响应速度快。FVF虽然瞬态特性会好，但是轻载效果较差。如果数字电路静态功耗不大的情况下,NMOS效果较好。

海绵

143800 发表于 2023-2-6 14:15
如果电源电压裕度够的话，NMOS最好，因为NMOS有自适应调节能力，响应速度快。FVF虽然瞬态特性会好，但是轻 ...

你好  感谢你的回复！

我翻了一些资料，NMOS做pass device 似乎除了Vdrop大以外，再没有什么别的缺点了？

那是否对于不关心Vdrop的电路，NMOS LDO无敌？

海绵

dingyixia

143800

海绵 发表于 2023-2-6 23:03
你好  感谢你的回复！

我翻了一些资料，NMOS做pass device 似乎除了Vdrop大以外，再没有什么别的缺点了 ...

是的，因为电压域越来越低，所以NMOS不适合，用的PMOS。如果电压域可以用NMOS，效果是最好的。

海绵

143800 发表于 2023-2-8 10:46
是的，因为电压域越来越低，所以NMOS不适合，用的PMOS。如果电压域可以用NMOS，效果是最好的。
...

NMOS\PMOS\FVF    三者的PSR哪种结构占优？

143800

海绵 发表于 2023-2-8 15:10
NMOS\PMOS\FVF    三者的PSR哪种结构占优？

PMOS的PSRR好于NMOS。FVF的PSRR没有什么提高的地方