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查看: 1779|回复: 4

[求助] 求助带片外电容的LDO如何设计

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发表于 2023-1-9 21:44:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
500资产
求助各位大佬,我目前遇到了一个问题,我现在在为一个8通道的SAR ADC做LDO,其需要建立的精度要满足16bit,速度也需要达到10ns,因此,我打算选择用传统的带片外电容的LDO,但是带片外电容的LDO考虑电感(5nH)的话 会有非常大的震荡,想请教一下各位前辈,片外电容的挂载如何进行考虑呢?如何进行相应的设计考量

 楼主| 发表于 2023-1-10 19:08:04 | 显示全部楼层
顶一下帖子~
 楼主| 发表于 2023-1-11 13:22:16 | 显示全部楼层
有没有大佬指导下啊 这NT指标 我是实在不知道怎么做了  rvb的片外电容如何接才能让sar adc对于LDO的冲击很小,使得LDO的电压波动在mv量级~
发表于 2023-1-11 16:02:08 | 显示全部楼层
LDO和建立精度有啥关系?那叫reference buffer更合适吧
发表于 2023-1-13 15:50:27 | 显示全部楼层
同问。 串联的走线电感对LDO瞬态响应影响挺大,只能通过增加片内Decap来解决吗?
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