请专家帮忙判断这种MOS应用是否安全

xihuwang · 发表于 2023-1-9 11:45:29

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

Hi，all：
   1个5V工艺的NMOS管，栅极接10V （内部电荷泵产生的高压），漏端接5V，源端浮空，体接地。此时，器件工作
在深线性区（源端=漏端=5V，VDS=0）。这样是否安全？
   身边的同事的意见是，栅极与沟道间的压差只有5V （10-5），没有高于Vgs≤5.5V的要求。
   请专家帮忙看看，是否安全？（栅和体的压差为10V：Vg=10V，Vb=0）

   感谢！

icdane · 发表于 2023-1-9 13:49:01

gate will not see the bulk if the device stays in this region forever, so fine

xihuwang · 发表于 2023-1-9 14:04:37

本帖最后由 xihuwang 于 2023-1-9 14:06 编辑

Thanks icdane.
It is the first time meet this usage of MOS: Gate biased with 10V, but body connnected with gnd.Do you meet this or see any same application before？

[求助] 请专家帮忙判断这种MOS应用是否安全

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

站长推荐 /2