请专家帮忙判断这种MOS应用是否安全

xihuwang

Hi，all：
     1个5V工艺的NMOS管，栅极接10V （内部电荷泵产生的高压），漏端接5V，源端浮空，体接地。此时，器件工作
在深线性区（源端=漏端=5V，VDS=0）。这样是否安全？
     身边的同事的意见是，栅极与沟道间的压差只有5V （10-5），没有高于Vgs≤5.5V的要求。
     请专家帮忙看看，是否安全？（栅和体的压差为10V：Vg=10V，Vb=0）

     感谢！

icdane

gate will not see the bulk if the device stays in this region forever, so fine

xihuwang

Thanks icdane.
It is the first time meet this usage of MOS: Gate biased with 10V, but body connnected with gnd.Do you meet this or see any same application before？