TSMC .18工艺在DNW里做PMOS

踟蹰的天

我希望在一个大的DNW里面同时做NMOS和PMOS，结果发现在LVS中，bulk未接VDD的PMOS报错了，错误为

                               
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而那些bulk接了VDD的PMOS倒没有报错。我怀疑是PMOS的bulk要接VDD才行。

请问在DNW里面做PMOS有什么讲究吗？还是说我的DNW做的有问题？

fengrlove

因为dnw和nwell是一样的电位，你电位不一样的pmos得单独做

踟蹰的天

fengrlove 发表于 2022-12-30 19:37
因为dnw和nwell是一样的电位，你电位不一样的pmos得单独做

单独做的意思是需要把PMOS的体接DNW相同的电位吗

castrader

踟蹰的天 发表于 2023-1-3 11:34
单独做的意思是需要把PMOS的体接DNW相同的电位吗

是这个PMOS不能跟其他的管子一起share DNW，而是要自己做一个DNW。

踟蹰的天

castrader 发表于 2023-1-3 11:50
是这个PMOS不能跟其他的管子一起share DNW，而是要自己做一个DNW。

你的意思是说体端不接VDD的PMOS和NMOS要分别做在两个DNW里吗？
换句话说如果PMOS的体端接了VDD是否可以和NMOS做在以DNW里？

825555056

DNW里的P管衬底只能有一个电位（即dnw的电位）

h_0310

以我所知 DNW 只能有 PW ,
PW 內 可以做 NMOS ,
各需給電壓去保證各diode反向(否則不就導通, 沒用了)
如 DNW 需 N+ active 給低電壓.
PW 需 P+  active 給高電壓.

這在 design rule 應該有規定.

这个包子有点冷

DNW里确实应该只有一个电位，不同的电位需要做在不同的DNW里，两个不同的DNW应该可以做在一个N阱里，然后最外面围上P环隔离

MrHlayout

DNW里面只允许有一个电源跟地，如果你DNW里面的P管电位是VDD，那放在DNW里面的P管电位就都得是VDD，其实DNW主要目的不是为了区分P管的电位（因为P管本身就坐在NWELL里面，就是单独的阱），而是为了区分NMOS的电位

天冷了0000

这种器件是NW 和DNW 连在一起的，如果是热阱，就需要有一块单独的DNW，和其余的DNW 拉开距离。