白光3D轮廓仪测量半导体封装中晶圆减薄厚度粗糙度以及激光切割后槽深槽宽

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近年来，面对持续高涨的芯片需求，半导体行业生产迎来了高难度挑战——对芯片工艺要求更精细，从5nm到3nm，甚至是2nm。“先进封装”的提出，是对技术的新要求，也是对封装工艺中材料和设备的全新考验。

芯片身上布控着几千万根晶体管，而晶体管越小，可放置的晶体管越多，性能也将越高。芯片的进化就是晶体管变小的过程。晶体管密度更大、占用空间更少、性能更高、功率更低，但挑战也越来越难以克服。小尺寸下，芯片物理瓶颈越来越难以克服。尤其在近几年，先进节点走向10nm、7nm、5nm......白光3D轮廓测量仪适配芯片制造生产线，致力于满足时下半导体封装中晶圆减薄厚度、晶圆粗糙度、激光切割后槽深槽宽的测量需求，助力半导体行业发展。

W1白光3D轮廓测量仪X/Y方向标准行程为140*100mm，满足晶圆表面大范围多区域的粗糙度自动化检测、镭射槽深宽尺寸、镀膜台阶高、弹坑等微纳米级别精度的测量。

台阶高精确度：0.3%
台阶高重复性：0.08 % 1σ
纵向分辨率：0.1nm
RMS重复性：0.005nm
横向分辨率（0.5λ/NA）：0.5um~3.7um
特点：粗糙度测量、弹坑测量、测量尺寸6英寸以下。

W3白光3D轮廓测量仪X/Y方向标准行程为300*300mm，超大规格平面、兼容型12英寸真空吸附盘能检测12寸及以下尺寸的Wafer；气浮隔振设计&吸音材质隔离设计，确保仪器在千级车间能有效滤除地面和声波的振动干扰，稳定工作；自动化测量半导体晶圆。

半导体领域专项功能
1.同步支持6、8、12英寸三种规格的晶圆片测量，一键即可实现三种规格的真空吸盘的自动切换以配适不同尺寸晶圆；
2.具备研磨供以后减薄片的粗糙度自动测量功能，一键可测量数十个小区域的粗糙度求取均值；
3.具备划片工艺中激光镭射开槽后的槽道深宽轮廓数据测量功能，可以一键实现槽道深宽相关的面和多条剖面线的数据测量与分析；
4.具备晶圆制造工艺中镀膜台阶高度的测量，覆盖从1nm~1mm的测量范围，实现高精度测量。

W3白光3D轮廓测量仪测量12英寸硅晶圆